جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه‌های سامسونگ K4A4G165WF-BCTD000 4 گیگابیت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 ولت

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

تراشه‌های سامسونگ K4A4G165WF-BCTD000 4 گیگابیت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 ولت

نام تجاری:	Samsung
شماره مدل:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100 عدد
جزئیات بسته بندی:	100
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

نام محصول:

سامسونگ

K4A4G165WF-BCTD000

تراکم:

4 گیگابایت

سرعت:

2666 مگابیت بر ثانیه

ولتاژ:

1.2 V

0 ~ 85 درجه سانتیگراد

بسته:

96FBGA

قابلیت ارائه:

10000

برجسته کردن:

K4A4G165WF-BCTD000

تراشه‌های سامسونگ K4A4G165WF

96FBGA تراشه‌های سامسونگ

توضیحات محصول

تراشه های آی سی سامسونگ K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

فقط x16

96FBGA بدون سرب و بدون هالوژن

(سازگار با RoHS)

ویژگی های کلیدی

استاندارد JEDEC 1.2 ولت (1.14 ولت تا 1.26 ولت)

VDDQ = 1.2 ولت (1.14 ولت تا 1.26 ولت)

V = 2.5 ولت (2.375 ولت تا 2.75 ولت)

800 مگاهرتز fCK برای 3200 مگابیت بر ثانیه CK برای 3200 مگابیت بر ثانیه 1067 مگاهرتز f

CK برای 3200 مگابیت بر ثانیه CK برای 3200 مگابیت بر ثانیه 1333 مگاهرتز f

CK برای 2666 مگابیت بر ثانیه1600 مگاهرتز fCK برای 3200 مگابیت بر ثانیه 8 بانک (2 گروه بانک)

تأخیر CAS قابل برنامه ریزی (CAS ارسال شده):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

تأخیر نوشتن CAS قابل برنامه ریزی (CWL) = 9,11 (DDR4-1600)، 10,12

(DDR4-1866)، 11,14 (DDR4-2133)، 12,16 (DDR4-2400)، 14,18 (DDR4-

2666) و 16,20 (DDR4-3200)

پیش بارگذاری 8 بیتی

طول انفجار: 8، 4 با tCCD = 4 که امکان خواندن بدون وقفه را فراهم نمی کند

یا نوشتن [چه در پرواز با استفاده از A12 یا MRS]

استروب داده دیفرانسیلی دو طرفه

کالیبراسیون داخلی (خود): کالیبراسیون خودکار داخلی از طریق پین ZQ

(RZQ: 240 اهم ± 1%)

پایان خط داخلی با استفاده از پین ODT

میانگین دوره بازخوانی 7.8 میکروثانیه در دمای کمتر از T

CASE °C °C بسته بندی: 96 توپ FBGA - x16 85

°C بسته بندی: 96 توپ FBGA - x16 CASE < 95 °C بازنشانی ناهمزمان بسته بندی: 96 توپ FBGA - x16 تمام محصولات بدون سرب مطابق با RoHS هستند

تمام محصولات بدون هالوژن هستند

CRC (بررسی افزونگی دوره‌ای) برای امنیت داده‌های خواندن/نوشتن

بررسی برابری آدرس فرمان

DBI (معکوس کردن گذرگاه داده)

حالت گیر دنده

رابط POD (خروجی نیمه باز) برای ورودی/خروجی داده

VREF داخلی برای ورودی‌های داده

VPP خارجی برای توان فعال سازی DRAM

hPPR پشتیبانی می شود

حافظه DDR4 SDRAM F-die 4 گیگابیتی به صورت یک دستگاه 32 مگابیت x 16 ورودی/خروجی x 8 بانک سازماندهی شده است. این دستگاه همزمان به نرخ انتقال دو داده با سرعت بالا تا 3200 مگابیت بر ثانیه بر پین (DDR4-3200) برای کاربردهای عمومی دست می یابد. این تراشه برای انطباق با ویژگی های کلیدی DDR4 SDRAM مانند CAS ارسال شده، CWL قابل برنامه ریزی، کالیبراسیون داخلی (خود)، پایان خط داخلی با استفاده از پین ODT و بازنشانی ناهمزمان طراحی شده است. تمام ورودی های کنترل و آدرس با یک جفت کلاک دیفرانسیلی خارجی همگام سازی می شوند. ورودی ها در نقطه تقاطع کلاک های دیفرانسیلی (CK صعودی و CK نزولی) قفل می شوند. تمام ورودی/خروجی ها با یک جفت استروب دو طرفه (DQS و DQS) به صورت همزمان منبع همگام سازی می شوند. گذرگاه آدرس برای انتقال اطلاعات ردیف، ستون و بانک به سبک مالتی پلکسینگ RAS/CAS استفاده می شود. دستگاه DDR4 با یک منبع تغذیه 1.2 ولت (1.14 ولت تا 1.26 ولت)، V

DDQ

1.2 ولت (1.14 ولت تا 1.26 ولت) و V

2.5 ولت (2.375 ولت تا 2.75 ولت) کار می کند. دستگاه DDR4 F-die 4 گیگابیتی در بسته های FBGA 96 توپ (x16) موجود است.

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

تراشه‌های سامسونگ K4A4G165WF-BCTD000 4 گیگابیت F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2 ولت

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI