รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป IC SAMSUNG

K4A4G165WF-BCTD000 ชิป Samsung 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

K4A4G165WF-BCTD000 ชิป Samsung 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ชื่อแบรนด์:	Samsung
หมายเลขรุ่น:	K4A4G165WF-BCTD000
ขั้นต่ำ:	100 ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	100
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ซัมซุง

แบบอย่าง:

K4A4G165WF-BCTD000

ความหนาแน่น:

4 กิกะไบต์

ความเร็ว:

2666 Mbps

แรงดันไฟฟ้า:

1.2 โวลต์

อุณหภูมิ:

0 ~ 85 องศาเซลเซียส

บรรจุุภัณฑ์:

96FBGA

สามารถในการผลิต:

10,000

เน้น:

K4A4G165WF-BCTD000

ชิป Samsung K4A4G165WF

96FBGA ชิป Samsung

รายละเอียดสินค้า

ชิป IC Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

x16 เท่านั้น

96FBGA พร้อมตะกั่วฟรีและฮาโลเจนฟรี

(เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS)

คุณสมบัติหลัก

• มาตรฐาน JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 MHz fCK สำหรับ 1600Mb/วินาที/พิน, 933 MHz fCK สำหรับ 1866Mb/วินาที/พิน,

1067MHz fCK สำหรับ 2133Mb/วินาที/พิน, 1200MHz fCK สำหรับ 2400Mb/วินาที/พิน,

1333MHz fCK สำหรับ 2666Mb/วินาที/พิน, 1600MHz fCK สำหรับ 3200Mb/วินาที/พิน

• 8 แบงก์ (2 กลุ่มแบงก์)

• CAS Latency ที่ตั้งโปรแกรมได้ (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• CAS Write Latency ที่ตั้งโปรแกรมได้ (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) และ 16,20 (DDR4-3200)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8, 4 พร้อม tCCD = 4 ซึ่งไม่อนุญาตให้การอ่าน

หรือเขียนแบบไร้รอยต่อ [ไม่ว่าจะใช้ On the fly ด้วย A12 หรือ MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• การปรับเทียบภายใน (ตัวเอง): การปรับเทียบภายในตัวเองผ่านขา ZQ

(RZQ: 240 โอห์ม ± 1%)

• On Die Termination โดยใช้ขา ODT

• ระยะเวลาการรีเฟรชเฉลี่ย 7.8us ที่ต่ำกว่า T< 95 85• Asynchronous Reset , 3.9us ที่

85• Asynchronous Reset < TCASE < 95 °C • Asynchronous Reset • แพ็คเกจ: 96 บอล FBGA - x16

• ผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากตะกั่วทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

• ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดปราศจากฮาโลเจน

• CRC (Cyclic Redundancy Check) เพื่อความปลอดภัยของข้อมูลการอ่าน/เขียน

• การตรวจสอบพาริตี้ของที่อยู่คำสั่ง

• DBI (Data Bus Inversion)

• โหมด Gear down

• อินเทอร์เฟซ POD (Pseudo Open Drain) สำหรับการป้อน/ส่งข้อมูล

• VREF ภายในสำหรับอินพุตข้อมูล

• VPP ภายนอกสำหรับพลังงานการเปิดใช้งาน DRAM

• รองรับ hPPR

F-die DDR4 SDRAM 4Gb จัดรูปแบบเป็นอุปกรณ์ 32Mbit x 16 I/O x 8 แบงก์

อุปกรณ์นี้เป็นอุปกรณ์แบบซิงโครนัสที่ให้ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลแบบสองอัตรา

สูงถึง 3200Mb/วินาที/พิน (DDR4-3200) สำหรับการใช้งานทั่วไป

ชิปนี้ออกแบบมาเพื่อให้เป็นไปตามคุณสมบัติหลักของ DDR4 SDRAM เช่น posted CAS, Programmable CWL, การปรับเทียบภายใน (ตัวเอง),

On Die Termination โดยใช้ขา ODT และ Asynchronous Reset

อินพุตควบคุมและที่อยู่ทั้งหมดจะซิงโครไนซ์กับคู่ของสัญญาณนาฬิกา

แบบดิฟเฟอเรนเชียลที่จ่ายจากภายนอก อินพุตจะถูกบันทึกที่จุดตัดของสัญญาณนาฬิกา

แบบดิฟเฟอเรนเชียล (CK ขาขึ้นและ CK ขาลง) I/O ทั้งหมดจะซิงโครไนซ์กับคู่ของ

Strobe แบบสองทิศทาง (DQS และ DQS) ในลักษณะ

source synchronous บัสที่อยู่ใช้เพื่อส่งข้อมูลที่อยู่แถว คอลัมน์ และแบงก์

ในรูปแบบการมัลติเพล็กซ์ RAS/CAS อุปกรณ์ DDR4 ทำงานด้วยแหล่งจ่ายไฟเดียว 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ

และ 2.5V (2.375V~2.75V) V

อุปกรณ์ F-die DDR4 4Gb มีให้เลือกในรูปแบบ 96 บอล FBGAs(x16)

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

K4A4G165WF-BCTD000 ชิป Samsung 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI