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SAMSUNG ICチップ

K4A4G165WF-BCTD000 サムスンチップ 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

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K4A4G165WF-BCTD000 サムスンチップ 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

ブランド名:	Samsung
モデル番号:	K4A4G165WF-BCTD000
MOQ:	100個
梱包の詳細:	100
支払い条件:	T/T

起源の場所:

K4A4G165WF-BCTD000

4ギガバイト

スピード:

2666 Mbps

0 ~ 85 °C

パッケージ:

96FBGA

供給の能力:

10000

ハイライト:

K4A4G165WF-BCTD000

サムスンチップ K4A4G165WF

96FBGA サムスンチップ

製品説明

Samsung ICチップ K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

x16のみ

リードフリー＆ハロゲンフリーの96FBGA

(RoHS準拠)

主な特徴

• JEDEC標準 1.2V (1.14V～1.26V)

• VDDQ= 1.2V (1.14V～1.26V)

• V= 2.5V (2.375V～2.75V)

•800 MHz fCK 1600Mb/sec/pin用, 933 MHz fCK 1866Mb/sec/pin用,

1067MHz fCK 2133Mb/sec/pin用, 1200MHz fCK 2400Mb/sec/pin用,

1333MHz fCK 2666Mb/sec/pin用, 1600MHz fCK 3200Mb/sec/pin用

• 8バンク (2バンクグループ)

• プログラム可能なCASレイテンシ (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• プログラム可能なCASライトレイテンシ (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) および 16,20 (DDR4-3200)

• 8ビットプリフェッチ

• バースト長: 8, 4 (tCCD = 4、シームレスな読み書きは不可)

または書き込み [オンザフライ A12 または MRS を使用]

• 双方向差動データストローブ

• 内部 (自己) キャリブレーション: ZQピンによる内部自己キャリブレーション

(RZQ: 240オーム ±1%)

• ODTピンを使用したオンダイ終端

• 平均リフレッシュ周期 7.8us (TCASE85C未満), 3.9us (

85C未満)< TCASE< 95C

• 非同期リセット

• パッケージ: 96ボールFBGA - x16

• すべてのリードフリー製品はRoHSに準拠しています

• すべての製品はハロゲンフリーです

• 読み書きデータセキュリティのためのCRC (巡回冗長検査)

• コマンドアドレスパリティチェック

• DBI (データバス反転)

• ギアダウンモード

• データ入出力用のPOD (疑似オープンドレイン) インターフェース

• 内部VREF (データ入力用)

• 外部VPP (DRAMアクティブ化電源用)

• hPPR対応

4Gb DDR4 SDRAM F-dieは、32Mbit x 16 I/O x 8バンクの

デバイスとして構成されています。この同期デバイスは、一般的なアプリケーション向けに

最大3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) の高速ダブルデータレート転送レートを実現します。

このチップは、ポストCAS、プログラム可能なCWL、内部 (自己) キャリブレーション、

ODTピンを使用したオンダイ終端、非同期リセットなどの以下の主要なDDR4 SDRAM機能に

準拠するように設計されています。

すべての制御およびアドレス入力は、外部から供給される差動クロックペアと同期しています。

入力は、差動クロックの交差点 (CK立ち上がりおよびCK立ち下がり) でラッチされます。

すべてのI/Oは、ソース同期方式で一対の双方向ストローブ (DQSおよびDQS) と同期します。

アドレスバスは、RAS/CAS多重化スタイルで行、列、バンクアドレス情報を伝達するために使用されます。

DDR4デバイスは、単一の1.2V (1.14V～1.26V) 電源、1.2V (1.14V～1.26V) V

DDQ

および2.5V (2.375V～2.75V) V

PPで動作します。

4Gb DDR4 F-dieデバイスは、96ボールFBGA (x16) で利用可能です。

タグ:

サムスンメモリIC

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