Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микросхемы SAMSUNG

Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Название бренда:	Samsung
Номер модели:	K4A4G165WF-BCTD000
минимальный заказ:	100 шт.
Детали упаковки:	100
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

Samsung

модель:

K4A4G165WF-BCTD000

Плотность:

Скорость:

2666 Mbps

Напряжение:

1,2 В

Температура:

0 ~ 85 °C

Упаковка:

96FBGA

Поставка способности:

10000

Выделить:

K4A4G165WF-BCTD000

Samsung Chips K4A4G165WF

96FBGA Samsung Chips

Описание продукта

Микросхемы Samsung K4A4G165WF-BCTD000 4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA (K4A4G165WF) 1.2V

4Gb F-die DDR4 SDRAM

только x16

96FBGA без свинца и галогенов

(Соответствует RoHS)

КЛЮЧЕВЫЕ ОСОБЕННОСТИ

• Стандарт JEDEC 1.2V (1.14V~1.26V)

• VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)

• V = 2.5V (2.375V~2.75V)

• 800 МГц fCK для 1600 Мбит/с/пин, 933 МГц fCK для 1866 Мбит/с/пин,

1067 МГц fCK для 2133 Мбит/с/пин, 1200 МГц fCK для 2400 Мбит/с/пин,

1333 МГц fCK для 2666 Мбит/с/пин, 1600 МГц fCK для 3200 Мбит/с/пин

• 8 банков (2 группы банков)

• Программируемая CAS-задержка (posted CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,22,24

• Программируемая CAS Write Latency (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12

(DDR4-1866),11,14 (DDR4-2133),12,16 (DDR4-2400), 14,18 (DDR4-

2666) и 16,20 (DDR4-3200)

• 8-битный предвыборка

• Длина пакета: 8, 4 с tCCD = 4, что не допускает бесшовного чтения

или записи [либо в реальном времени с использованием A12, либо MRS]

• Двунаправленный дифференциальный строб данных

• Внутренняя (само) калибровка: Внутренняя самокалибровка через вывод ZQ

(RZQ: 240 Ом ± 1%)

• Внутренняя терминация (ODT) с использованием вывода ODT

• Средний период обновления 7.8 мкс при температуре ниже TCASE 85C, 3.9 мкс при

85C < TCASE < 95 C

• Асинхронный сброс

• Корпус: 96 шариков FBGA - x16

• Все продукты без свинца соответствуют RoHS

• Все продукты не содержат галогенов

• CRC (Циклический избыточный код) для безопасности данных чтения/записи

• Проверка четности адреса команды

• DBI (Инверсия шины данных)

• Режим Gear down

• Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) для ввода/вывода данных

• Внутренний VREF для ввода данных

• Внешний VPP для питания активации DRAM

• Поддерживается hPPR

4Gb DDR4 SDRAM F-die организован как устройство 32Mbit x 16 I/O x 8 банков

Это синхронное устройство достигает высоких скоростей передачи данных с удвоенной скоростью

до 3200 Мбит/с/пин (DDR4-3200) для общих применений.

Микросхема разработана в соответствии со следующими ключевыми функциями DDR4 SDRAM, такими как posted CAS, программируемый CWL, внутренняя (само) калибровка,

внутренняя терминация (ODT) с использованием вывода ODT и асинхронный сброс.

Все управляющие входы и входы адреса синхронизированы парой внешних дифференциальных тактовых сигналов. Входы фиксируются на пересечении дифференциальных тактовых сигналов (CK по фронту и CK по спаду). Все вводы/выводы синхронизированы парой двунаправленных стробов (DQS и DQS) в источниково-синхронном режиме. Шина адреса используется для передачи информации о строке, столбце и банке в стиле мультиплексирования RAS/CAS. Устройство DDR4 работает от одного источника питания 1.2V (1.14V~1.26V), 1.2V(1.14V~1.26V) V

DDQ

и 2.5V (2.375V~2.75V) V

Устройство 4Gb DDR4 F-die доступно в корпусах 96FBGA (x16).

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Samsung Chips 4Gb F-die DDR4 SDRAM X16 96FBGA K4A4G165WF 1.2V

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI