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삼성 IC 칩

K4B4G1646E-BCNB000 삼성 IC 칩 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

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K4B4G1646E-BCNB000 삼성 IC 칩 4Gb E-die DDR3 SDRAM X16 96FBGA K4B4G1646E 1.5V

브랜드 이름:	Samsung
모델 번호:	K4B4G1646E-BCNB000
MOQ:	100개
포장 세부사항:	100
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

K4B4G1646E-BCNB000

2133Mbps

1.5 Ｖ

0~85℃

공급 능력:

10000

강조하다:

K4B4G1646E-BCNB000

삼성 IC 칩 4Gb

96FBGA 삼성 IC 칩

제품 설명

삼성 IC 칩 K4B4G1646E-BCNB000 4Gb E-die DDR3 SDRAM x16 96FBGA (K4B4G1646E) 1.5V

4Gb E-die DDR3 SDRAM

x16

리드프리 및 할로겐 프리 96FBGA

(RoHS 준수)

주요 특징

• JEDEC 표준 1.5V(1.425V~1.575V)

• V = 1.5V(1.425V~1.575V)

• 400 MHz fCK 800Mb/초/핀, 533MHz fCK 1066Mb/초/핀,

667MHz fCK 1333Mb/초/핀, 800MHz fCK 1600Mb/초/핀,

933MHz fCK 1866Mb/초/핀, 1066 MHz fCK 2133Mb/초/핀

• 8개 뱅크

• 프로그래밍 가능한 CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14

• 프로그래밍 가능한 Additive Latency: 0, CL-2 또는 CL-1 클럭

• 프로그래밍 가능한 CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) 및

10 (DDR3-2133)

• 8비트 프리페치

• 버스트 길이: 8 , 4 (tCCD = 4, 원활한 읽기 불가

또는 쓰기 [A12 또는 MRS를 사용한 즉시]

• 양방향 차동 데이터 스트로브

• 내부(자체) 보정: ZQ 핀을 통한 내부 자체 보정

(RZQ : 240옴 ± 1%)

• ODT 핀을 사용한 온다이 종단

• 평균 새로고침 주기 7.8us (TCASE85C, 3.9us (

85C< TCASE< 95C

• 비동기 리셋

• 패키지: 96볼 FBGA - x16

• 모든 리드프리 제품은 RoHS 준수

• 모든 제품은 할로겐 프리

4Gb DDR3 SDRAM E-die는 32Mbit x 16 I/O x 8뱅크로 구성됩니다.

이 동기식 장치는 최대 2133Mb/초/핀(DDR3-2133)의 고속 이중 데이터 전송 속도를 달성하여 일반적인 응용 프로그램에 사용됩니다.

이 칩은 포스트 CAS, 프로그래밍 가능한 CWL, 내부(자체) 보정, ODT 핀을 사용한 온다이 종단 및 비동기 리셋과 같은 다음 주요 DDR3 SDRAM 기능을 준수하도록 설계되었습니다.

모든 제어 및 주소 입력은 외부에서 공급되는 차동 클럭 쌍과 동기화됩니다. 입력은 차동 클럭(CK 상승 및 CK 하강)의 교차점에서 래치됩니다. 모든 I/O는 소스 동기식 방식으로 양방향 스트로브(DQS 및 DQS) 쌍과 동기화됩니다. 주소 버스는 RAS/CAS 멀티플렉싱 스타일로 행, 열 및 뱅크 주소 정보를 전달하는 데 사용됩니다. DDR3 장치는 단일 1.5V(1.425V~1.575V) 전원 공급 장치 및 1.5V(1.425V~1.575V) V

DDQ

로 작동합니다.

4Gb DDR3 E-die 장치는 96볼 FBGAs(x16)로 제공됩니다.

태그:

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