logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Produkty

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
rozwiązania
Wideo
Nowości
Skontaktuj się z nami
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Cytat
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Produkty

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
rozwiązania
Wideo
Blog
Skontaktuj się z nami
Cytat
Dobra cena W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy

Wszystkie kategorie

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
Skontaktuj się z nami
Miss. alice
+86 18802688921
Skontaktuj się teraz
Wszystkie kategorie

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy
  • Nazwa

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Opis produktu
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
model:
IRLR3110ZTRPBF
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
SMD/SMT
Ciągły prąd spustowy:
63 A
Temperatura pracy:
-55°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
140 W
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Chip

,

Zaawansowany proces HEXFET MOSFET

Opis produktu

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Zaawansowana technologia procesowa 175°C Temperatura pracy


Cechy
Technologia zaawansowanych procesów
Ultra niski opór
Temperatura pracy 175°C
Szybkie przełączanie
Powtarzająca się lawina dopuszczalna do Tjmax

Opis
specjalnie zaprojektowane do zastosowań przemysłowych,
ten HEXFET®Power MOSFET wykorzystuje najnowsze
Techniki przetwarzania w celu osiągnięcia bardzo niskiego
dodatkowe cechy
w tej konstrukcji są połączenia o temperaturze 175°C działające
temperatury, szybkiej prędkości przełączania i poprawiono
Wykorzystuje się te funkcje w celu:
Aby ten projekt był niezwykle wydajny i
niezawodne urządzenie do zastosowań przemysłowych
i wiele innych zastosowań.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy

Maksymalne ratingi bezwzględne
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy
 
Odporność termiczna
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy

Charakterystyka elektryczna @ TJ= 25°C (chyba że określono inaczej)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Zaawansowana technologia procesu 175°C Temperatura pracy


Tagi: 

mosfet mocy infineon  

chip infineon  

kontroler pfc infineon

Powiązane produkty
SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-bit Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-bit Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-bit Jednokrotkowy Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-bit Jednokrotkowy Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233LP-32F200F Infineon Chip 32-bit Jednostrumieniowy Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC233LP-32F200F Infineon Chip 32-bit Jednostrumieniowy Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-bitowy pojedynczy układ mikrokontrolerowy AC-Step

SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-bitowy pojedynczy układ mikrokontrolerowy AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Single Chip Microcontroller Typ standardowy z HSM i bez

SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Single Chip Microcontroller Typ standardowy z HSM i bez

Najlepszą cenę