logo
ভালো দাম  অনলাইন

পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
ইনফাইনন চিপ
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা

IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা

ব্র্যান্ডের নাম: Infineon Chip
মডেল নম্বর: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
প্যাকেজিং বিবরণ: 2500PCS/রিল
পেমেন্ট শর্তাবলী: টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
চীন
মডেল:
IRLR3110ZTRPBF
পণ্যের নাম:
ইনফাইনন চিপ
টাইপ:
এসএমডি/এসএমটি
ক্রমাগত ড্রেন স্রোত:
63 ক
অপারেটিং তাপমাত্রা:
- 55 °C ~ + 175 °C
শক্তি অপচয়:
140 W
যোগানের ক্ষমতা:
100000
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z ইনফিনিয়ন চিপ

,

উন্নত প্রক্রিয়া হেক্সফেট মসফেট

পণ্য বিবরণ

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® পাওয়ার MOSFET অ্যাডভান্সড প্রসেস টেকনোলজি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা


বৈশিষ্ট্য
উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি
আল্ট্রা লো অন-রেজিস্ট্যান্স
175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
দ্রুত সুইচিং
Tjmax পর্যন্ত পুনরাবৃত্তিমূলক তুষারপাত অনুমোদিত

বর্ণনা
বিশেষ করে শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে,
এই HEXFET® পাওয়ার MOSFET অত্যন্ত কম অর্জনের জন্য সর্বশেষ
প্রসেসিং কৌশল ব্যবহার করে
সিলিকন এলাকার প্রতি অন-রেজিস্ট্যান্স। অতিরিক্ত বৈশিষ্ট্য
এই ডিজাইনের 175°C জংশন অপারেটিং
তাপমাত্রা, দ্রুত সুইচিং গতি এবং উন্নত
পুনরাবৃত্তিমূলক তুষারপাত রেটিং। এই বৈশিষ্ট্যগুলি
এই ডিজাইনটিকে অত্যন্ত দক্ষ এবং
শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য নির্ভরযোগ্য ডিভাইস
এবং অন্যান্য বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন।

IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা

পরম সর্বোচ্চ রেটিং
IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
 
তাপীয় প্রতিরোধ
IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য @ TJ= 25°C (যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়)
IRLR3110ZTRPBF ইনফিনিয়ন চিপ হেক্সফেট পাওয়ার মসফেট উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা