logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IRLR3110ZTRPBF
Nama Produk:
Chip Infineon
Jenis:
SMD/SMT
Arus Tiriskan Terus Menerus:
63 A
Suhu Operasional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
140 W
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Chip

,

Advanced Process HEXFET MOSFET

Deskripsi Produk

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C


Fitur
Teknologi Proses Lanjutan
Resistansi Nyala Sangat Rendah
Suhu Operasi 175°C
Peralihan Cepat
Avalanche Berulang Diizinkan hingga Tjmax

Deskripsi
Dirancang khusus untuk aplikasi Industri,
HEXFET ini® Power MOSFET memanfaatkan
teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai
resistansi nyala yang sangat rendah per area silikon. Fitur tambahan
dari desain ini adalah suhu operasi sambungan 175°C, kecepatan peralihan cepat dan peringkat
avalanche berulang yang ditingkatkan. Fitur-fitur ini
menggabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan
andal untuk digunakan dalam aplikasi Industri
dan berbagai aplikasi lainnya.
Peringkat Maksimum Absolut

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

Resistansi Termal
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C
 
Karakteristik Listrik @ T
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

J = 25°C (kecuali dinyatakan lain)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C