جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه Infineon

IRLR3110ZTRPBF Infineon تراشه MOSFET قدرت HEXFET فناوری فرآیند پیشرفته دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

IRLR3110ZTRPBF Infineon تراشه MOSFET قدرت HEXFET فناوری فرآیند پیشرفته دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

نام تجاری:	Infineon Chip
شماره مدل:	IRLR3110ZTRPBF
MOQ:	2500
جزئیات بسته بندی:	2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

IRLR3110ZTRPBF

نام محصول:

تراشه Infineon

تایپ کنید:

SMD/SMT

جریان تخلیه مداوم:

63 الف

دمای عملیاتی:

- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد

اتلاف نیرو:

140 وات

قابلیت ارائه:

100000

برجسته کردن:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z Infineon تراشه

MOSFET HEXFET فرآیند پیشرفته

توضیحات محصول

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology 175°C Operating Temperature

ویژگی ها

تکنولوژی فرآیند پیشرفته
مقاومت در حالت روشن بسیار پایین
دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
سوئیچینگ سریع
بهمن تکراری مجاز تا Tjmax

شرح

این MOSFET قدرتی HEXFET® که به طور خاص برای کاربردهای صنعتی طراحی شده است، از آخرین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت در حالت روشن بسیار پایین در هر مساحت سیلیکون استفاده می کند. ویژگی های اضافی این طرح شامل دمای عملیاتی پیوند 175 درجه سانتیگراد، سرعت سوئیچینگ سریع و امتیاز بهمن تکراری بهبود یافته است. این ویژگی ها با هم ترکیب می شوند تا این طرح را به یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای صنعتی و طیف گسترده ای از برنامه های دیگر تبدیل کنند.

این MOSFET قدرتی HEXFET®® MOSFET قدرتی از آخرین تکنیک های پردازش استفاده می کند تا به مقاومت در حالت روشن بسیار پایین در هر مساحت سیلیکون دست یابد. ویژگی های اضافی این طرح شامل دمای عملیاتی پیوند 175 درجه سانتیگراد، سرعت سوئیچینگ سریع و امتیاز بهمن تکراری بهبود یافته است. این ویژگی ها با هم ترکیب می شوند تا این طرح را به یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای صنعتی و طیف گسترده ای از برنامه های دیگر تبدیل کنند.

دمای عملیاتی پیوند 175 درجه سانتیگراد، سرعت سوئیچینگ سریع و امتیاز بهمن تکراری بهبود یافته است.

این ویژگی ها با هم ترکیب می شوند تا این طرح را به یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای صنعتی و طیف گسترده ای از برنامه های دیگر تبدیل کنند.

رتبه بندی حداکثر مطلق

مقاومت حرارتی

مشخصات الکتریکی @ T

= 25 درجه سانتیگراد (مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

IRLR3110ZTRPBF Infineon تراشه MOSFET قدرت HEXFET فناوری فرآیند پیشرفته دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI