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Détails des produits

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Puce Infineon
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IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement

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IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement
  • Nom

IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRLR3110ZTRPBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
modèle:
IRLR3110ZTRPBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Courant continu de drain:
63 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
140 W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRLR3110ZTRPBF

,

La puce IRLR3110Z Infineon

,

Processus avancé HEXFET MOSFET

Description du produit

Chip Infineon IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Technologie de processus avancée Température de fonctionnement 175°C


Caractéristiques
Technologie de procédé avancée
Résistance ultra-faible
Température de fonctionnement 175°C
Un changement rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax

Définition
spécialement conçus pour les applications industrielles,
cette HEXFET®Le MOSFET de puissance utilise les dernières
techniques de transformation pour obtenir des taux extrêmement bas
Résistance d'allumage par surface de silicium
de cette conception sont une jonction à 175°C fonctionnant
température, vitesse de commutation rapide et améliorée
Ces caractéristiques sont liées à la fréquence des avalanches.
Bien sûr, il est important de faire de cette conception une solution extrêmement efficace et
dispositif fiable pour une utilisation dans les applications industrielles
et une grande variété d'autres applications.

IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement

Notes de crédit maximales absolues
IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement
 
Résistance thermique
IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement

Caractéristiques électriquesJe= 25°C (sauf indication contraire)
IRLR3110ZTRPBF puce Infineon HEXFET Puissance MOSFET Technologie de procédé avancée 175°C Température de fonctionnement


Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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