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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
IRLR3110ZTRPBF
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
निरंतर नाली वर्तमान:
63 ए
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
140 डब्ल्यू
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z इन्फिनियन चिप

,

उन्नत प्रक्रिया हेक्स्फेट MOSFET

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IRLR3110ZTRPBF HEXFET® पावर MOSFET एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी 175°C ऑपरेटिंग तापमान


विशेषताएं
एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी
अल्ट्रा लो ऑन-रेसिस्टेंस
175°C ऑपरेटिंग तापमान
फास्ट स्विचिंग
Tjmax तक पुनरावृत्ति हिमस्खलन की अनुमति

विवरण
विशेष रूप से औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया,
यह HEXFET® पावर MOSFET अत्यंत कम
सिलिकॉन क्षेत्र प्रति ऑन-रेसिस्टेंस प्राप्त करने के लिए नवीनतम
प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है। इस डिज़ाइन की अतिरिक्त विशेषताएं 175°C जंक्शन ऑपरेटिंग
तापमान, तेज स्विचिंग गति और बेहतर
पुनरावृत्ति हिमस्खलन रेटिंग हैं। ये विशेषताएं औद्योगिक अनुप्रयोगों
और विभिन्न अन्य अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और
विश्वसनीय उपकरण बनाने के लिए संयुक्त हैं।
पूर्ण अधिकतम रेटिंग
थर्मल प्रतिरोध

IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

विद्युत विशेषताएँ @ T
IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान
 
J
IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRLR3110ZTRPBF इन्फिनियन चिप हेक्स्फेट पावर MOSFET उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान