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インフィニオンチップ
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IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度

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IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度
  • 名前

IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
モデル:
IRLR3110ZTRPBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
SMD/SMT
連続的な下水管の流れ:
63 A
動作温度:
-55℃～+175℃
消費電力:
140 W
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon チップ

,

高度プロセス HEXFET MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® パワーMOSFET 高度なプロセス技術 175℃動作温度


特徴
高度なプロセス技術
超低オン抵抗
175℃動作温度
高速スイッチング
Tjmaxまでの反復アバランシェ許容

説明
産業用途に特化して設計された、
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の
プロセス技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を極めて低く抑えています。この設計の追加機能として、175℃の接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された反復アバランシェ定格があります。これらの機能により、この設計は産業用途およびその他のさまざまな用途で非常に効率的で信頼性の高いデバイスとなっています。
絶対最大定格
熱抵抗
電気的特性 @ T
J
= 25℃（特に指定がない限り）

IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度

IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度
 
IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度

IRLR3110ZTRPBF Infineon チップ HEXFET パワートランジスタ 高度プロセス技術 175℃ 動作温度


タグ: 

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