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Chip Infineon

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia di processo avanzata Temperatura operativa 175°C

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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia di processo avanzata Temperatura operativa 175°C

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRLR3110ZTRPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRLR3110ZTRPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corrente continua dello scolo:

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

140 W

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z Infineon Chip

HEXFET MOSFET con tecnologia di processo avanzata

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

Caratteristiche

Tecnologia avanzata di processo
Ultra bassa resistenza
Temperatura di funzionamento 175°C
Cambiare velocemente
Avalanche ripetuta consentita fino a Tjmax

Descrizione

con una tensione di potenza superiore a 50 W

questo HEXFET®Il MOSFET di potenza utilizza l'ultimo

tecniche di lavorazione per raggiungere livelli estremamente bassi

resistenza di accensione per area di silicio.

di questo disegno sono una giunzione a 175°C

temperatura, velocità di commutazione rapida e migliorato

Le caratteristiche di queste avalanche sono:

Il progetto è stato progettato in modo da rendere il progetto estremamente efficiente e

dispositivo affidabile per l'uso in applicazioni industriali

e una vasta gamma di altre applicazioni.

Classificazione massima assoluta

Resistenza termica

Caratteristiche elettriche @ TJ.= 25°C (salvo diversa indicazione)

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

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Chip LED SEOUL

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NeXperia Chips

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Perline LED TSLC Semileds

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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia di processo avanzata Temperatura operativa 175°C

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