logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRLR3110ZTRPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRLR3110ZTRPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
63 ก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
140 วัตต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon ชิป

,

Advanced Process HEXFET MOSFET

รายละเอียดสินค้า

ชิป Infineon IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET เทคโนโลยีกระบวนการที่ก้าวหน้า อุณหภูมิการทํางาน 175 °C


ลักษณะ
เทคโนโลยีกระบวนการที่ก้าวหน้า
ความต้านทานต่ําสุด
อุณหภูมิการทํางาน 175°C
การเปลี่ยนเร็ว
ผืนหิมะซ้ําๆ ถูกอนุญาตสูงสุด Tjmax

คําอธิบาย
โดยเฉพาะเจาะจงสําหรับอุตสาหกรรม
HEXFET นี้®พลังงาน MOSFET ใช้ใหม่ที่สุด
เทคนิคการแปรรูปเพื่อบรรลุความต่ํามาก
ความต้านทานในการเปิดต่อพื้นที่ซิลิคอน
ของการออกแบบนี้คือการเชื่อมต่อ 175 °C การทํางาน
อุณหภูมิ, ความเร็วการสลับเร็วและปรับปรุง
การประเมินความซ้ําซ้ําของหินฝน
ดีที่จะทําให้การออกแบบนี้เป็น
อุปกรณ์ที่น่าเชื่อถือสําหรับการใช้ในอุตสาหกรรม
และการใช้งานอื่นๆ ที่หลากหลาย

IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

อัตราการเรตติ้งสูงสุด
IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C
 
ความต้านทานความร้อน
IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

คุณสมบัติไฟฟ้า @ TJ= 25°C (ยกเว้นที่ระบุต่างหาก)
IRLR3110ZTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET เทคโนโลยีขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C