details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IRLR3110ZTRPBF
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IRLR3110ZTRPBF

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

SMD/SMT

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

Bedrijfstemperatuur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Vermogensdissipatie:

140 W

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z Infineon Chip

Geavanceerde Proces HEXFET MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Functies

Geavanceerde Procestechnologie
Ultra Lage Aan-Weerstand
175°C Bedrijfstemperatuur
Snelle Schakeling
Repetitieve Lawine Toegestaan tot Tjmax

Beschrijving

Specifiek ontworpen voor Industriële toepassingen,

deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste

verwerkingstechnieken om extreem lage

aan-weerstand per siliciumoppervlak te bereiken. Extra functies

van dit ontwerp zijn een 175°C junctiebedrijfs

temperatuur, snelle schakelsnelheid en verbeterde

repetitieve lawineclassificatie. Deze functies combineren

om dit ontwerp een extreem efficiënt en

betrouwbaar apparaat te maken voor gebruik in Industriële toepassingen

en een breed scala aan andere toepassingen.

Absolute Maximale Beoordelingen

Thermische Weerstand

Elektrische Kenmerken @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips