logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Новости
Свяжитесь мы
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Цитата
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Блог
Свяжитесь мы
Цитата
Хорошая цена Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
Свяжитесь мы
Miss. alice
+86 18802688921
Контакт теперь
Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C
  • Имя

IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRLR3110ZTRPBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Описание продукта
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
Документ:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
модель:
IRLR3110ZTRPBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
СМД/СМТ
Непрерывное течение стока:
63 a
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
140 w
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Чип

,

Продвинутая Технология HEXFET MOSFET

Описание продукта

Чип Infineon IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Передовая технология процесса 175°C Операционная температура


Особенности
Передовые технологические процессы
Ультра низкое сопротивление
Операционная температура 175°C
Быстрое переключение
Повторяющаяся лавина допускается до Tjmax

Описание
специально разработанные для промышленных применений,
этот HEXFET®Power MOSFET использует новейшие
методы обработки для достижения чрезвычайно низкой
Противодействие включению по площади кремния.
из этой конструкции имеют 175°C стыковочные
Температура, быстрая скорость переключения и
В результате, вы получите высокую оценку повторения лавин.
Это очень эффективное решение.
надежное устройство для использования в промышленном применении
и множество других применений.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Абсолютные максимальные рейтинги
IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C
 
Термостойкость
IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Электрические характеристики @ TJ= 25°C (если не указано иное)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Чип HEXFET Силовой MOSFET Продвинутая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C


Теги: 

инфинеон силовой МОП-транзистор  

чип infineon  

инфинеон контроллер PFC

Сопутствующие товары
SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233LP-32F200F Infineon Чип 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-шаг

SAK-TC233LP-32F200F Infineon Чип 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-шаг

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Одночиповый микроконтроллер Стандартный тип с HSM и без него

SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Одночиповый микроконтроллер Стандартный тип с HSM и без него

Получите самую лучшую цену