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Chip Infineon
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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C

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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C
  • Nome

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IRLR3110ZTRPBF
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
modelo:
IRLR3110ZTRPBF
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Corrente contínua do dreno:
63 A
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
140 W
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Chip

,

HEXFET MOSFET de Processo Avançado

Descrição do produto

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C


Características
Tecnologia de Processo Avançada
Resistência On Ultra Baixa
Temperatura de Operação de 175°C
Comutação Rápida
Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax

Descrição
Projetado especificamente para aplicações Industriais,
este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes
técnicas de processamento para alcançar extremamente baixa
resistência on por área de silício. Recursos adicionais
deste projeto são uma temperatura de operação de junção de 175°C,
velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada. Estes recursos combinam
para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e
confiável para uso em aplicações Industriais
e uma ampla variedade de outras aplicações.
Classificações Máximas Absolutas

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C

Resistência Térmica
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C
 
Características Elétricas @ T
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C

J = 25°C (a menos que especificado de outra forma)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnologia de Processo Avançada Temperatura de Operação de 175°C


Etiquetas: 

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