Name: IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnología de proceso avanzada Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRLR3110ZTRPBF
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IRLR3110ZTRPBF
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf

modelo:

IRLR3110ZTRPBF

Nombre del producto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corriente continua del dren:

63 A

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

140 W

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z Infineon Chip

HEXFET MOSFET de proceso avanzado

Descripción del Producto

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Tecnología de proceso avanzada Temperatura de operación de 175°C

Características

Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de operación de 175°C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Descripción

Diseñado específicamente para aplicaciones industriales,

este HEXFET® Power MOSFET utiliza las últimas

técnicas de procesamiento para lograr una resistencia

extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales

de este diseño son una temperatura de operación de unión de 175°C,

velocidad de conmutación rápida y una calificación de avalancha repetitiva mejorada.

Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y

confiable para su uso en aplicaciones industriales

y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Clasificaciones Máximas Absolutas

Resistencia Térmica

Características Eléctricas @ T

J = 25°C (a menos que se especifique lo contrario)

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

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Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tecnología de proceso avanzada Temperatura de funcionamiento de 175 °C

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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