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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

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IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur
  • Name

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IRLR3110ZTRPBF
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
Modell:
IRLR3110ZTRPBF
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
SMD/SMT
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
63 A
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
140 W
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Chip

,

Fortschrittliche Prozesstechnologie HEXFET MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Fortgeschrittene Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur


Eigenschaften
Fortgeschrittene Prozesstechnik
Ultra-niedriges Widerstandsniveau
Betriebstemperatur 175°C
Schnell wechseln
Wiederholte Lawine bis Tjmax zulässig

Beschreibung
speziell für industrielle Anwendungen ausgelegt,
dieses HEXFET®Das Power MOSFET nutzt die neuesten
Verarbeitungstechniken, um extrem niedrige
Zusätzliche Eigenschaften
von dieser Konstruktion sind eine 175°C-Kopplung
Temperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte
Diese Eigenschaften werden von der
Ein weiterer wichtiger Aspekt ist die
zuverlässige Vorrichtung für den Einsatz in industriellen Anwendungen
und eine Vielzahl anderer Anwendungen.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Absolute Höchstratings
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur
 
Wärmewiderstand
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Elektrische Eigenschaften @ TJ= 25°C (sofern nicht anders angegeben)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur


Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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