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제품 세부 정보

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인피니언 칩
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IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도

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IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도
  • 이름

IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IRLR3110ZTRPBF
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
infineon-irlr3110z-datashee...en.pdf
모델:
IRLR3110ZTRPBF
제품명:
인피니언 칩
유형:
SMD/SMT
연속배수 경향:
63 A
작동 온도:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
140 Ｗ
공급 능력:
100000
강조하다:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon 칩

,

고급 공정 HEXFET MOSFET

제품 설명

인피니온 칩 IRLR3110ZTRPBF HEXFET® 파워 MOSFET 첨단 프로세스 기술 175°C 운영 온도


특징
첨단 공정 기술
초저저저항
175°C 운영 온도
빠른 전환
Tjmax까지 반복되는 산사태

설명
산업용 용도로 특별히 설계된,
이 HEXFET®파워 MOSFET는 최신 기술을 사용합니다.
매우 낮은 수치를 달성하기 위한 처리 기술
실리콘 면적 당 켜기 저항
이 설계의 175°C 단절 장치가 작동합니다.
온도, 빠른 전환 속도 및 개선
반복되는 산사태 등급입니다.
이 디자인을 매우 효율적이고
산업용 용기에 사용 가능한 신뢰할 수 있는 장치
그리고 다양한 다른 응용 프로그램.

IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도

절대 최대 등급
IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도
 
열 저항
IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도

전기 특성 @ TJ= 25°C (다른 사항이 없는 한)
IRLR3110ZTRPBF Infineon 칩 HEXFET 전력 MOSFET 고급 공정 기술 175°C 작동 온도


태그: 

인피니언 파워 모스펫  

칩 인피니언  

인피니언 PFC 컨트롤러

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