IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Công nghệ xử lý tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C
Tính năng
Công nghệ xử lý tiên tiến Điện trở bật cực thấp Nhiệt độ hoạt động 175°C Chuyển mạch nhanh Cho phép Avalanche lặp lại lên đến Tjmax
Mô tả
Được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng Công nghiệp,
MOSFET Công suất HEXFET® này sử dụng các
kỹ thuật xử lý mới nhất để đạt được điện trở bật cực kỳ thấp trên mỗi diện tích silicon. Các tính năng bổ sung
của thiết kế này là nhiệt độ hoạt động mối nối 175°C, tốc độ chuyển mạch nhanh và xếp hạng avalanche lặp lại được cải thiện. Những tính năng này kết hợp
để làm cho thiết kế này trở thành một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong các ứng dụng Công nghiệp