تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقاقة انفينيون

IRLR3110ZTRPBF إنفينيون شريحة HEXFET باور موسفت تقنية معالجة متقدمة درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

IRLR3110ZTRPBF إنفينيون شريحة HEXFET باور موسفت تقنية معالجة متقدمة درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

اسم العلامة التجارية:	Infineon Chip
رقم الموديل:	IRLR3110ZTRPBF
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

IRLR3110ZTRPBF

اسم المنتج:

رقاقة انفينيون

يكتب:

سمد/سمت

تيار التصريف المستمر:

درجة حرارة التشغيل:

- 55 درجة مئوية ~ + 175 درجة مئوية

تبديد الطاقة:

140 وات

القدرة على العرض:

100000

إبراز:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z إنفينيون شريحة

موسفت HEXFET بتقنية معالجة متقدمة

وصف المنتج

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET تقنية معالجة متقدمة درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

الميزات

تقنية معالجة متقدمة
مقاومة تشغيل منخفضة للغاية
درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية
تبديل سريع
انهيار متكرر مسموح به حتى Tjmax

الوصف

مصمم خصيصًا للتطبيقات الصناعية،

هذا HEXFET®يستخدم MOSFET للطاقة أحدث

تقنيات المعالجة لتحقيق انخفاض شديد

مقاومة التشغيل لكل مساحة سيليكون. ميزات إضافية

لهذا التصميم هي درجة حرارة تشغيل وصلة 175 درجة مئوية، وسرعة تبديل سريعة وتحسين

تصنيف الانهيار المتكرر. هذه الميزات مجتمعة

تجعل هذا التصميم جهازًا فعالًا وموثوقًا للغاية للاستخدام في التطبيقات الصناعية

ومجموعة واسعة من التطبيقات الأخرى.

الحد الأقصى المطلق للتقييمات

المقاومة الحرارية

الخصائص الكهربائية @ T

= 25 درجة مئوية (ما لم يُذكر خلاف ذلك)

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

IRLR3110ZTRPBF إنفينيون شريحة HEXFET باور موسفت تقنية معالجة متقدمة درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي