λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IRLR3110ZTRPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IRLR3110ZTRPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Τύπος:

SMD/SMT

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 175 °C

Διαρροή Ισχύος:

140 W

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110Z Infineon Chip

Προηγμένη Διεργασία HEXFET MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Power MOSFET Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας
Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On
175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας
Γρήγορη Μεταγωγή
Επαναλαμβανόμενη Χιονοστιβάδα Επιτρέπεται έως Tjmax

Περιγραφή

Σχεδιασμένο ειδικά για Βιομηχανικές εφαρμογές,

αυτό το HEXFET® Power MOSFET χρησιμοποιεί τις τελευταίες

τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχει εξαιρετικά χαμηλή

αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Πρόσθετα χαρακτηριστικά

αυτού του σχεδιασμού είναι η θερμοκρασία λειτουργίας σύνδεσης 175°C, η γρήγορη ταχύτητα μεταγωγής και η βελτιωμένη

επαναλαμβανόμενη βαθμολογία χιονοστιβάδας. Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται

για να κάνουν αυτόν τον σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποδοτική και

αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε Βιομηχανικές εφαρμογές

και σε μια ευρεία ποικιλία άλλων εφαρμογών.

Απόλυτες Μέγιστες Βαθμολογίες

Θερμική Αντίσταση

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ T

J = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IRLR3110ZTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI