logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Infineon Çip
Created with Pixso.

IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

Marka Adı: Infineon Chip
Model Numarası: IRLR3110ZTRPBF
Adedi: 2500
Paketleme Detayları: 2500 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
modeli:
IRLR3110ZTRPBF
Ürün adı:
Infineon Çip
Tip:
SMD/SMT
Sürekli Tahliye Akımı:
63 bir
Çalışma Sıcaklığı:
- 55 °C ~ + 175 °C
Güç Dağılımı:
140 W
Yetenek temini:
100000
Vurgulamak:

IRLR3110ZTRPBF

,

IRLR3110Z Infineon Çip

,

Gelişmiş Süreç HEXFET MOSFET

Ürün Açıklaması

Infineon Chip IRLR3110ZTRPBF HEXFET® Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı


Özellikler
Gelişmiş İşlem Teknolojisi
Ultra Düşük Açık Direnç
175°C Çalışma Sıcaklığı
Hızlı Anahtarlama
Tjmax'a Kadar Tekrarlayan Çığ İzni Verilir

Açıklama
Özellikle Endüstriyel uygulamalar için tasarlanmış,
bu HEXFET® Güç MOSFET, son teknoloji
işlem tekniklerini kullanarak son derece düşük
silikon başına açık direnç elde eder. Bu tasarımın ek özellikleri arasında 175°C eklem çalışma
sıcaklığı, hızlı anahtarlama hızı ve geliştirilmiş
tekrarlayan çığ derecelendirmesi bulunur. Bu özellikler, bu tasarımı Endüstriyel uygulamalarda kullanım için son derece verimli ve
güvenilir bir cihaz haline getirir ve çok çeşitli diğer uygulamalar.
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler
Termal Direnç
Elektriksel Karakteristikler @ T

IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

J
IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı
 
= 25°C (aksi belirtilmedikçe)
IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

IRLR3110ZTRPBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı