szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Transistor zasilania N-kanałowy temperatury roboczej normalnego poziomu 175 °C

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Transistor zasilania N-kanałowy temperatury roboczej normalnego poziomu 175 °C

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IPB200N15N3G

Nazwa produktu:

Chip Infineona

SMD/SMT

Temperatura pracy:

-55°C ~ + 175°C

Rozpraszanie mocy:

150 w

Ciągły prąd spustowy:

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-kanałowy OptiMOS3

Opis produktu

Tranzystor mocy Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3, kanał N, normalny poziom, temperatura pracy 175 °C

Tranzystor mocy OptiMOS™3, kanał N, normalny poziom, temperatura pracy 175 °C

Cechy

Kanał N, normalny poziom

Doskonały ładunek bramki x R DS(on) produkt (FOM)

Bardzo niska rezystancja włączenia R DS(on)

Temperatura pracy 175 °C

Poszycie wyprowadzeń bezołowiowe; zgodne z RoHS

Kwalifikowany zgodnie z JEDEC1) dla docelowej aplikacji

Idealny do przełączania wysokiej częstotliwości i prostowania synchronicznego

Bezhalogenowy zgodnie z IEC61249-2-21

Podsumowanie produktu

Maksymalne parametry, przy \(T_j\)=25 °C, chyba że określono inaczej: Ciągły prąd drenu \(I_D\) wynosi 50 A przy \(T_C\)=25 °C i 40 A przy \(T_C\)=100 °C. Impulsowy prąd drenu \(I_{D,pulse}\) wynosi 200 A przy \(T_C\)=25 °C. Energia lawinowa, pojedynczy impuls \(E_{AS}\) wynosi 170 mJ w warunkach \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. Szybkość narastania napięcia wstecznego diody dv/dt wynosi 6 kV/μs w warunkach \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Napięcie bramka-źródło \(V_{GS}\) wynosi ±20 V. Rozpraszanie mocy \(P_{tot}\) wynosi 150 W przy \(T_C\)=25 °C. Temperatura pracy i przechowywania \(T_j\), \(T_{stg}\) wynosi od -55 °C do 175 °C. Kategoria klimatyczna IEC; DIN IEC 68-1 to 55/175/56. Uwaga 1: J-STD20 i JESD22. Uwaga 2: Patrz rysunek 3. Charakterystyki termiczne: Rezystancja termiczna, złącze-obudowa \(R_{thJC}\) ma maksymalną wartość 1 K/W. Rezystancja termiczna, złącze-otoczenie \(R_{thJA}\) ma maksymalną wartość 75 K/W przy minimalnym śladzie i maksymalną wartość 50 K/W przy powierzchni chłodzenia 6 cm². Uwaga 3: Powierzchnia chłodzenia 6 cm².

Charakterystyki elektryczne, przy \(T_j\)=25 °C, chyba że określono inaczej. Charakterystyki statyczne: Napięcie przebicia dren-źródło \(V_{(BR)DSS}\) wynosi 150 V w warunkach \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Napięcie progowe bramki \(V_{GS(th)}\) wynosi od 2 V do 4 V, ze typową wartością 3 V w warunkach \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Prąd drenu przy zerowym napięciu bramki \(I_{DSS}\) ma typową wartość 0,1 μA i maksymalną wartość 1 μA przy \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; przy \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, jego typowa wartość wynosi 10 μA, a maksymalna 100 μA. Prąd upływu bramki \(I_{GSS}\) ma typową wartość 1 nA i maksymalną wartość 100 nA w warunkach \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Rezystancja dren-źródło w stanie włączenia \(R_{DS(on)}\) ma typową wartość 16 mΩ i maksymalną wartość 20 mA w obu warunkach \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A i \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Rezystancja bramki \(R_G\) ma typową wartość 2,4 Ω. Transkonduktancja \(g_{fs}\) wynosi od 29 S, ze typową wartością 57 S w warunkach \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Transistor zasilania N-kanałowy temperatury roboczej normalnego poziomu 175 °C

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI