تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقاقة انفينيون

IPB200N15N3G إنفينيون شريحة OptiMOS3 ترانزستور طاقة N-channel مستوى عادي 175 درجة مئوية درجة حرارة التشغيل

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

IPB200N15N3G إنفينيون شريحة OptiMOS3 ترانزستور طاقة N-channel مستوى عادي 175 درجة مئوية درجة حرارة التشغيل

اسم العلامة التجارية:	Infineon Chip
رقم الموديل:	IPB200N15N3G
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

IPB200N15N3G

اسم المنتج:

رقاقة انفينيون

يكتب:

سمد/سمت

درجة حرارة التشغيل:

- 55 درجة مئوية ~ + 175 درجة مئوية

تبديد الطاقة:

150 واط

تيار التصريف المستمر:

القدرة على العرض:

100000

إبراز:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 إنفينيون شريحة

N-Channel OptiMOS3

وصف المنتج

شريحة Infineon IPB200N15N3G OptiMOS™3 ترانزستور طاقة N-channel، مستوى عادي درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

ترانزستور طاقة OptiMOS™3 N-channel، مستوى عادي درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

الميزات

N-channel، مستوى عادي

شحنة بوابة ممتازة × R DS(on) منتج (FOM)

مقاومة تشغيل منخفضة جدًا R DS(on)

درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية

طلاء رصاص خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS

مؤهل وفقًا لـ JEDEC1) للتطبيق المستهدف

مثالي للتبديل عالي التردد والتصحيح المتزامن

خالٍ من الهالوجين وفقًا لـ IEC61249-2-21

ملخص المنتج

الحد الأقصى للتقييمات، عند \(T_j\)=25 درجة مئوية، ما لم يُذكر خلاف ذلك: تيار المصرف المستمر \(I_D\) هو 50 أمبير عند \(T_C\)=25 درجة مئوية و 40 أمبير عند \(T_C\)=100 درجة مئوية. تيار المصرف النبضي \(I_{D,pulse}\) هو 200 أمبير عند \(T_C\)=25 درجة مئوية. طاقة الانهيار، نبضة واحدة \(E_{AS}\) هو 170 ملي جول تحت ظروف \(I_D\)=50 أمبير، \(R_{GS}\)=25 أوم. جهد عكسي للديود dv/dt هو 6 كيلو فولت/ميكرو ثانية تحت ظروف \(I_D\)=50 أمبير، \(V_{DS}\)=120 فولت، di/dt=100 أمبير/ميكرو ثانية، \(T_{j,max}\)=175 درجة مئوية. جهد البوابة والمصدر \(V_{GS}\) هو ±20 فولت. تبديد الطاقة \(P_{tot}\) هو 150 واط عند \(T_C\)=25 درجة مئوية. نطاق درجة حرارة التشغيل والتخزين \(T_j\), \(T_{stg}\) يتراوح من -55 درجة مئوية إلى 175 درجة مئوية. فئة المناخ IEC؛ DIN IEC 68-1 هي 55/175/56. ملاحظة 1: J-STD20 و JESD22. ملاحظة 2: انظر الشكل 3. الخصائص الحرارية: مقاومة حرارية، وصلة-حالة \(R_{thJC}\) لها قيمة قصوى تبلغ 1 كلفن/واط. مقاومة حرارية، وصلة-محيط \(R_{thJA}\) لها قيمة قصوى تبلغ 75 كلفن/واط مع بصمة دنيا وقيمة قصوى تبلغ 50 كلفن/واط مع مساحة تبريد 6 سم مربع. ملاحظة 3: مساحة تبريد 6 سم مربع.

الخصائص الكهربائية، عند \(T_j\)=25 درجة مئوية، ما لم يُذكر خلاف ذلك. الخصائص الثابتة: جهد انهيار المصرف-المصدر \(V_{(BR)DSS}\) هو 150 فولت تحت ظروف \(V_{GS}\)=0 فولت، \(I_D\)=1 مللي أمبير. يتراوح جهد عتبة البوابة \(V_{GS(th)}\) من 2 فولت إلى 4 فولت بقيمة نموذجية تبلغ 3 فولت تحت ظروف \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 ميكرو أمبير. تيار المصرف عند جهد بوابة صفر \(I_{DSS}\) له قيمة نموذجية تبلغ 0.1 ميكرو أمبير وقيمة قصوى تبلغ 1 ميكرو أمبير عند \(V_{DS}\)=120 فولت، \(V_{GS}\)=0 فولت، \(T_j\)=25 درجة مئوية؛ عند \(V_{DS}\)=120 فولت، \(V_{GS}\)=0 فولت، \(T_j\)=125 درجة مئوية، قيمته النموذجية هي 10 ميكرو أمبير وقيمته القصوى هي 100 ميكرو أمبير. تيار تسرب البوابة-المصدر \(I_{GSS}\) له قيمة نموذجية تبلغ 1 نانو أمبير وقيمة قصوى تبلغ 100 نانو أمبير تحت ظروف \(V_{GS}\)=20 فولت، \(V_{DS}\)=0 فولت. مقاومة المصرف-المصدر في حالة التشغيل \(R_{DS(on)}\) لها قيمة نموذجية تبلغ 16 ميجا أوم وقيمة قصوى تبلغ 20 مللي أمبير تحت كلا الشرطين \(V_{GS}\)=10 فولت، \(I_D\)=50 أمبير و \(V_{GS}\)=8 فولت، \(I_D\)=25 أمبير. مقاومة البوابة \(R_G\) لها قيمة نموذجية تبلغ 2.4 أوم. يتراوح التوصيل العابر \(g_{fs}\) من 29 إس بقيمة نموذجية تبلغ 57 إس تحت ظروف \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 أمبير.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

IPB200N15N3G إنفينيون شريحة OptiMOS3 ترانزستور طاقة N-channel مستوى عادي 175 درجة مئوية درجة حرارة التشغيل

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي