details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-kanaal normaal niveau 175 °C bedrijfstemperatuur

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-kanaal normaal niveau 175 °C bedrijfstemperatuur

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IPB200N15N3G

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

SMD/SMT

Bedrijfstemperatuur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Vermogensdissipatie:

150 W

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-Kanaal OptiMOS3

Productbeschrijving

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-kanaal, normaal niveau 175 °C bedrijfstemperatuur

OptiMOS™3 Power-Transistor N-kanaal, normaal niveau 175 °C bedrijfstemperatuur

Functies

N-kanaal, normaal niveau

Uitstekende gate-lading x R DS(on) product (FOM)

Zeer lage aan-weerstand R DS(on)

175 °C bedrijfstemperatuur

Pb-vrije loodplating; RoHS-conform

Gekwalificeerd volgens JEDEC1) voor doelapplicatie

Ideaal voor hoogfrequente schakeling en synchrone gelijkrichting

Halogeenvrij volgens IEC61249-2-21

Productoverzicht

Maximale specificaties, bij \(T_j\)=25 °C, tenzij anders gespecificeerd: Continue drain-stroom \(I_D\) is 50 A bij \(T_C\)=25 °C en 40 A bij \(T_C\)=100 °C. Pulsed drain-stroom \(I_{D,pulse}\) is 200 A bij \(T_C\)=25 °C. Lawine-energie, enkele puls \(E_{AS}\) is 170 mJ onder omstandigheden van \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. Reverse diode dv/dt is 6 kV/μs onder omstandigheden van \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Gate-source spanning \(V_{GS}\) is ±20 V. Vermogensdissipatie \(P_{tot}\) is 150 W bij \(T_C\)=25 °C. Bedrijfs- en opslagtemperatuur \(T_j\), \(T_{stg}\) varieert van -55 °C tot 175 °C. IEC klimaatcategorie; DIN IEC 68-1 is 55/175/56. Opmerking 1: J-STD20 en JESD22. Opmerking 2: Zie figuur 3. Thermische kenmerken: Thermische weerstand, junction-case \(R_{thJC}\) heeft een maximale waarde van 1 K/W. Thermische weerstand, junction-ambient \(R_{thJA}\) heeft een maximale waarde van 75 K/W met minimale footprint en een maximale waarde van 50 K/W met 6 cm² koeloppervlak. Opmerking 3: 6 cm² koeloppervlak.

Elektrische kenmerken, bij \(T_j\)=25 °C, tenzij anders gespecificeerd. Statische kenmerken: Drain-source doorslagspanning \(V_{(BR)DSS}\) is 150 V onder omstandigheden van \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Gate-drempelspanning \(V_{GS(th)}\) varieert van 2 V tot 4 V met een typische waarde van 3 V onder omstandigheden van \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Zero gate voltage drain current \(I_{DSS}\) heeft een typische waarde van 0,1 μA en een maximale waarde van 1 μA bij \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; bij \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, is de typische waarde 10 μA en de maximale waarde 100 μA. Gate-source lekstroom \(I_{GSS}\) heeft een typische waarde van 1 nA en een maximale waarde van 100 nA onder omstandigheden van \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Drain-source on-state weerstand \(R_{DS(on)}\) heeft een typische waarde van 16 mΩ en een maximale waarde van 20 mA onder beide omstandigheden van \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A en \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Gate-weerstand \(R_G\) heeft een typische waarde van 2,4 Ω. Transconductantie \(g_{fs}\) varieert van 29 S met een typische waarde van 57 S onder omstandigheden van \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-kanaal normaal niveau 175 °C bedrijfstemperatuur

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips