λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-κανάλι κανονικού επιπέδου 175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-κανάλι κανονικού επιπέδου 175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IPB200N15N3G

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Τύπος:

SMD/SMT

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 175 °C

Διαρροή Ισχύος:

150 W

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-Channel OptiMOS3

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, κανονικό επίπεδο 175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, κανονικό επίπεδο 175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

Χαρακτηριστικά

N-channel, κανονικό επίπεδο

Εξαιρετική φόρτιση πύλης x R DS(on) προϊόν (FOM)

Πολύ χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης R DS(on)

175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

Επιμετάλλωση ακροδεκτών χωρίς Pb· συμβατό με RoHS

Πιστοποιημένο σύμφωνα με JEDEC1) για την εφαρμογή στόχο

Ιδανικό για μεταγωγή υψηλής συχνότητας και σύγχρονη ανόρθωση

Χωρίς αλογόνα σύμφωνα με IEC61249-2-21

Σύνοψη προϊόντος

Μέγιστες ονομαστικές τιμές, στους \(T_j\)=25 °C, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά: Συνεχές ρεύμα απαγωγού \(I_D\) είναι 50 A στους \(T_C\)=25 °C και 40 A στους \(T_C\)=100 °C. Παλμικό ρεύμα απαγωγού \(I_{D,pulse}\) είναι 200 A στους \(T_C\)=25 °C. Ενέργεια χιονοστιβάδας, μονός παλμός \(E_{AS}\) είναι 170 mJ υπό συνθήκες \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt αντίστροφης διόδου είναι 6 kV/μs υπό συνθήκες \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Τάση πύλης-πηγής \(V_{GS}\) είναι ±20 V. Διαφυγή ισχύος \(P_{tot}\) είναι 150 W στους \(T_C\)=25 °C. Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας και αποθήκευσης \(T_j\), \(T_{stg}\) κυμαίνεται από -55 °C έως 175 °C. Κλιματική κατηγορία IEC· DIN IEC 68-1 είναι 55/175/56. Σημείωση 1: J-STD20 και JESD22. Σημείωση 2: Βλέπε σχήμα 3. Θερμικά χαρακτηριστικά: Θερμική αντίσταση, σύνδεση-περίβλημα \(R_{thJC}\) έχει μέγιστη τιμή 1 K/W. Θερμική αντίσταση, σύνδεση-περιβάλλον \(R_{thJA}\) έχει μέγιστη τιμή 75 K/W με ελάχιστο αποτύπωμα και μέγιστη τιμή 50 K/W με περιοχή ψύξης 6 cm². Σημείωση 3: Περιοχή ψύξης 6 cm².

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, στους \(T_j\)=25 °C, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά. Στατικά χαρακτηριστικά: Τάση διάσπασης απαγωγού-πηγής \(V_{(BR)DSS}\) είναι 150 V υπό συνθήκες \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Εύρος τάσης κατωφλίου πύλης \(V_{GS(th)}\) κυμαίνεται από 2 V έως 4 V με τυπική τιμή 3 V υπό συνθήκες \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Ρεύμα απαγωγού μηδενικής τάσης πύλης \(I_{DSS}\) έχει τυπική τιμή 0.1 μA και μέγιστη τιμή 1 μA στους \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C· στους \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, η τυπική του τιμή είναι 10 μA και η μέγιστη τιμή είναι 100 μA. Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής \(I_{GSS}\) έχει τυπική τιμή 1 nA και μέγιστη τιμή 100 nA υπό συνθήκες \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Αντίσταση ενεργοποίησης απαγωγού-πηγής \(R_{DS(on)}\) έχει τυπική τιμή 16 mΩ και μέγιστη τιμή 20 mA υπό τις δύο συνθήκες \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A και \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Αντίσταση πύλης \(R_G\) έχει τυπική τιμή 2.4 Ω. Η μεταγωγική ικανότητα \(g_{fs}\) κυμαίνεται από 29 S με τυπική τιμή 57 S υπό συνθήκες \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-κανάλι κανονικού επιπέδου 175 °C θερμοκρασία λειτουργίας

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI