Name: IPB200N15N3G Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS3 Canal N nível normal temperatura de operação de 175 °C
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IPB200N15N3G
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IPB200N15N3G
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Infineon_IPB200N15N3_G_DS_v...EN.pdf

modelo:

IPB200N15N3G

Nome do produto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Temperatura operacional:

- 55 °C ~ + 175 °C

Dissipação de energia:

150 w

Corrente contínua do dreno:

50 a

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

OptiMOS3 Canal N

Descrição do produto

Chip Infineon IPB200N15N3G OptiMOS™3 Transistor de Potência Canal N, nível normal Temperatura de operação de 175 °C

Transistor de Potência OptiMOS™3 Canal N, nível normal Temperatura de operação de 175 °C

Características

Canal N, nível normal

Excelente carga de gate x R DS(on) produto (FOM)

Resistência on muito baixa R DS(on)

Temperatura de operação de 175 °C

Revestimento de chumbo sem chumbo; compatível com RoHS

Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicação alvo

Ideal para comutação de alta frequência e retificação síncrona

Livre de halogênio de acordo com IEC61249-2-21

Resumo do Produto

Máximos, a \(T_j\)=25 °C, a menos que especificado de outra forma: Corrente contínua de dreno \(I_D\) é 50 A a \(T_C\)=25 °C e 40 A a \(T_C\)=100 °C. Corrente de dreno pulsada \(I_{D,pulse}\) é 200 A a \(T_C\)=25 °C. Energia de avalanche, pulso único \(E_{AS}\) é 170 mJ sob condições de \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt do diodo reverso é 6 kV/μs sob condições de \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Tensão gate-source \(V_{GS}\) é ±20 V. Dissipação de potência \(P_{tot}\) é 150 W a \(T_C\)=25 °C. Faixa de temperatura de operação e armazenamento \(T_j\), \(T_{stg}\) varia de -55 °C a 175 °C. Categoria climática IEC; DIN IEC 68-1 é 55/175/56. Nota 1: J-STD20 e JESD22. Nota 2: Ver figura 3. Características térmicas: Resistência térmica, junção-case \(R_{thJC}\) tem um valor máximo de 1 K/W. Resistência térmica, junção-ambiente \(R_{thJA}\) tem um valor máximo de 75 K/W com pegada mínima e um valor máximo de 50 K/W com área de resfriamento de 6 cm². Nota 3: área de resfriamento de 6 cm².

Características elétricas, a \(T_j\)=25 °C, a menos que especificado de outra forma. Características estáticas: Tensão de ruptura dreno-source \(V_{(BR)DSS}\) é 150 V sob condições de \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Faixa de tensão de threshold de gate \(V_{GS(th)}\) varia de 2 V a 4 V com um valor típico de 3 V sob condições de \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Corrente de dreno de tensão de gate zero \(I_{DSS}\) tem um valor típico de 0.1 μA e um valor máximo de 1 μA a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, seu valor típico é 10 μA e valor máximo é 100 μA. Corrente de fuga gate-source \(I_{GSS}\) tem um valor típico de 1 nA e valor máximo de 100 nA sob condições de \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Resistência on-state dreno-source \(R_{DS(on)}\) tem um valor típico de 16 mΩ e valor máximo de 20 mA sob ambas as condições de \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A e \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Resistência de gate \(R_G\) tem um valor típico de 2.4 Ω. Transcondutância \(g_{fs}\) varia de 29 S com um valor típico de 57 S sob condições de \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Etiquetas:

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IPB200N15N3G Infineon Chip Transistor de Potência OptiMOS3 Canal N nível normal temperatura de operação de 175 °C

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