Détails des produits

Maison Produits

Puce Infineon

Transistor de puissance N-channel niveau normal Infineon Chip OptiMOS3 IPB200N15N3G température de fonctionnement 175 °C

Toutes Les Catégories

Perles de lampe LED TSLC Semileds

Puce LED haute puissance

Contactez-nous

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact maintenant

Toutes Les Catégories

Perles de lampe LED TSLC Semileds

Transistor de puissance N-channel niveau normal Infineon Chip OptiMOS3 IPB200N15N3G température de fonctionnement 175 °C

Nom De La Marque:	Infineon Chip
Numéro De Modèle:	IPB200N15N3G
Quantité Minimale De Commande:	2500
Détails De L'emballage:	2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

modèle:

IPB200N15N3G

Nom du produit:

Puce Infineon

Taper:

CMS/CMS

Température de fonctionnement:

- 55 °C ~ + 175 °C

Dissipation de puissance:

150 W

Courant continu de drain:

Capacité d'approvisionnement:

100000

Mettre en évidence:

IPB200N15N3G

Infineon Chip IPB200N15N3

OptiMOS3 Canal N

Description du produit

Transistor de puissance Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Canal N, niveau normal, température de fonctionnement 175 °C

Transistor de puissance OptiMOS™3 Canal N, niveau normal, température de fonctionnement 175 °C

Caractéristiques

Canal N, niveau normal

Charge de grille excellente x R DS(on) produit (FOM)

Très faible résistance à l'état passant R DS(on)

Température de fonctionnement 175 °C

Plomb sans Pb ; conforme RoHS

Qualifié selon JEDEC1) pour application cible

Idéal pour la commutation à haute fréquence et le redressement synchrone

Sans halogène selon IEC61249-2-21

Résumé du produit

Valeurs maximales, à \(T_j\)=25 °C, sauf indication contraire : Courant de drain continu \(I_D\) est de 50 A à \(T_C\)=25 °C et 40 A à \(T_C\)=100 °C. Courant de drain pulsé \(I_{D,pulse}\) est de 200 A à \(T_C\)=25 °C. Énergie d'avalanche, impulsion unique \(E_{AS}\) est de 170 mJ dans des conditions de \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt de la diode inverse est de 6 kV/μs dans des conditions de \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Tension grille-source \(V_{GS}\) est de ±20 V. Dissipation de puissance \(P_{tot}\) est de 150 W à \(T_C\)=25 °C. Température de fonctionnement et de stockage \(T_j\), \(T_{stg}\) varie de -55 °C à 175 °C. Catégorie climatique CEI ; DIN IEC 68-1 est 55/175/56. Note 1 : J-STD20 et JESD22. Note 2 : Voir figure 3. Caractéristiques thermiques : Résistance thermique, jonction-boîtier \(R_{thJC}\) a une valeur maximale de 1 K/W. Résistance thermique, jonction-ambiant \(R_{thJA}\) a une valeur maximale de 75 K/W avec un encombrement minimal et une valeur maximale de 50 K/W avec une surface de refroidissement de 6 cm². Note 3 : surface de refroidissement de 6 cm².

Caractéristiques électriques, à \(T_j\)=25 °C, sauf indication contraire. Caractéristiques statiques : Tension de claquage drain-source \(V_{(BR)DSS}\) est de 150 V dans des conditions de \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Tension de seuil de grille \(V_{GS(th)}\) varie de 2 V à 4 V avec une valeur typique de 3 V dans des conditions de \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Courant de drain à tension de grille nulle \(I_{DSS}\) a une valeur typique de 0,1 μA et une valeur maximale de 1 μA à \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C ; à \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, sa valeur typique est de 10 μA et sa valeur maximale est de 100 μA. Courant de fuite grille-source \(I_{GSS}\) a une valeur typique de 1 nA et une valeur maximale de 100 nA dans des conditions de \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Résistance drain-source à l'état passant \(R_{DS(on)}\) a une valeur typique de 16 mΩ et une valeur maximale de 20 mA dans les deux conditions de \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A et \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Résistance de grille \(R_G\) a une valeur typique de 2,4 Ω. Transconductance \(g_{fs}\) varie de 29 S avec une valeur typique de 57 S dans des conditions de \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

Perles de lampe LED TSLC Semileds

Puce LED haute puissance

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

Perles de lampe LED TSLC Semileds

Puce LED haute puissance

Détails des produits

Transistor de puissance N-channel niveau normal Infineon Chip OptiMOS3 IPB200N15N3G température de fonctionnement 175 °C

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

Perles de lampe LED TSLC Semileds

Puce LED haute puissance

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI