logo
ভালো দাম  অনলাইন

পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
ইনফাইনন চিপ
Created with Pixso.

IPB200N15N3G ইনফিনিয়ন চিপ অপ্টিমস৩ পাওয়ার ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল নরমাল লেভেল ১৭৫ °C অপারেটিং তাপমাত্রা

IPB200N15N3G ইনফিনিয়ন চিপ অপ্টিমস৩ পাওয়ার ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল নরমাল লেভেল ১৭৫ °C অপারেটিং তাপমাত্রা

ব্র্যান্ডের নাম: Infineon Chip
মডেল নম্বর: IPB200N15N3G
MOQ: 2500
প্যাকেজিং বিবরণ: 2500PCS/রিল
পেমেন্ট শর্তাবলী: টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
চীন
মডেল:
IPB200N15N3G
পণ্যের নাম:
ইনফাইনন চিপ
টাইপ:
এসএমডি/এসএমটি
অপারেটিং তাপমাত্রা:
- 55 °C ~ + 175 °C
শক্তি অপচয়:
150 ডাব্লু
ক্রমাগত ড্রেন স্রোত:
50 ক
যোগানের ক্ষমতা:
100000
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

IPB200N15N3G

,

IPB200N15N3 ইনফিনিয়ন চিপ

,

এন-চ্যানেল অপ্টিমস৩

পণ্য বিবরণ

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 পাওয়ার-ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল, স্বাভাবিক স্তর 175 °C অপারেটিং তাপমাত্রা


OptiMOS™3 পাওয়ার-ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল, স্বাভাবিক স্তর 175 °C অপারেটিং তাপমাত্রা


বৈশিষ্ট্য
এন-চ্যানেল, স্বাভাবিক স্তর
চমৎকার গেট চার্জ x R DS(on) পণ্য (FOM)
খুব কম অন-রেজিস্ট্যান্স R DS(on)
175 °C অপারেটিং তাপমাত্রা 
Pb-মুক্ত সীসা প্লেটিং; RoHS অনুবর্তী 
JEDEC অনুযায়ী যোগ্য1) লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনের জন্য
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং এবং সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশনের জন্য আদর্শ 
IEC61249-2-21 অনুযায়ী হ্যালোজেন-মুক্ত 


পণ্যের সারাংশ
IPB200N15N3G ইনফিনিয়ন চিপ অপ্টিমস৩ পাওয়ার ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল নরমাল লেভেল ১৭৫ °C অপারেটিং তাপমাত্রা

IPB200N15N3G ইনফিনিয়ন চিপ অপ্টিমস৩ পাওয়ার ট্রানজিস্টর এন-চ্যানেল নরমাল লেভেল ১৭৫ °C অপারেটিং তাপমাত্রা


সর্বোচ্চ রেটিং, \(T_j\)=25 °C এ, যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়: অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট \(I_D\) হল 50 A \(T_C\)=25 °C এ এবং 40 A \(T_C\)=100 °C এ। পালসড ড্রেন কারেন্ট \(I_{D,pulse}\) হল 200 A \(T_C\)=25 °C এ। অ্যাভাল্যাঞ্চ শক্তি, একক পালস \(E_{AS}\) হল 170 mJ \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω এর শর্তে। রিভার্স ডায়োড dv/dt হল 6 kV/μs \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C এর শর্তে। গেট সোর্স ভোল্টেজ \(V_{GS}\) হল ±20 V। পাওয়ার ডিসিপেশন \(P_{tot}\) হল 150 W \(T_C\)=25 °C এ। অপারেটিং এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা \(T_j\), \(T_{stg}\) -55 °C থেকে 175 °C পর্যন্ত পরিসীমা। IEC জলবায়ু বিভাগ; DIN IEC 68-1 হল 55/175/56। দ্রষ্টব্য 1: J-STD20 এবং JESD22। দ্রষ্টব্য 2: চিত্র 3 দেখুন। থার্মাল বৈশিষ্ট্য: থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-কেস \(R_{thJC}\) এর সর্বোচ্চ মান 1 K/W। থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-অ্যাম্বিয়েন্ট \(R_{thJA}\) এর সর্বোচ্চ মান 75 K/W ন্যূনতম ফুটপ্রিন্ট সহ এবং সর্বোচ্চ মান 50 K/W 6 cm² কুলিং এলাকা সহ। দ্রষ্টব্য 3: 6 cm² কুলিং এলাকা।

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য, \(T_j\)=25 °C এ, যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়। স্ট্যাটিক বৈশিষ্ট্য: ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ \(V_{(BR)DSS}\) হল 150 V \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA এর শর্তে। গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ \(V_{GS(th)}\) 2 V থেকে 4 V পর্যন্ত পরিসীমা \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA এর শর্তে একটি সাধারণ মান 3 V সহ। জিরো গেট ভোল্টেজ ড্রেন কারেন্ট \(I_{DSS}\) এর একটি সাধারণ মান 0.1 μA এবং সর্বোচ্চ মান 1 μA \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C এ; \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C এ, এর সাধারণ মান 10 μA এবং সর্বোচ্চ মান 100 μA। গেট-সোর্স লিকেজ কারেন্ট \(I_{GSS}\) এর একটি সাধারণ মান 1 nA এবং সর্বোচ্চ মান 100 nA \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V এর শর্তে। ড্রেন-সোর্স অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স \(R_{DS(on)}\) এর একটি সাধারণ মান 16 mΩ এবং সর্বোচ্চ মান 20 mA \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A এবং \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A উভয় শর্তে। গেট রেজিস্ট্যান্স \(R_G\) এর একটি সাধারণ মান 2.4 Ω। ট্রান্সকন্ডাকটেন্স \(g_{fs}\) 29 S থেকে পরিসীমা \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A এর শর্তে একটি সাধারণ মান 57 S সহ।