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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Transistor di potenza a canale N livello normale temperatura operativa 175 °C

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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Transistor di potenza a canale N livello normale temperatura operativa 175 °C

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IPB200N15N3G

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

150 w

Corrente continua dello scolo:

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

OptiMOS3 a canale N

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, livello normale, temperatura operativa 175 °C

OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, livello normale, temperatura operativa 175 °C

Caratteristiche

N-channel, livello normale

Eccellente carica gate x R DS(on) prodotto (FOM)

Resistenza on-stato molto bassa R DS(on)

Temperatura operativa 175 °C

Placcatura piombo senza piombo; conforme RoHS

Qualificato secondo JEDEC1) per applicazione target

Ideale per commutazione ad alta frequenza e rettifica sincrona

Senza alogeni secondo IEC61249-2-21

Riepilogo prodotto

Valori massimi, a \(T_j\)=25 °C, se non diversamente specificato: Corrente di drain continua \(I_D\) è 50 A a \(T_C\)=25 °C e 40 A a \(T_C\)=100 °C. Corrente di drain pulsata \(I_{D,pulse}\) è 200 A a \(T_C\)=25 °C. Energia di valanga, impulso singolo \(E_{AS}\) è 170 mJ in condizioni di \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt del diodo inverso è 6 kV/μs in condizioni di \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Tensione gate-source \(V_{GS}\) è ±20 V. Dissipazione di potenza \(P_{tot}\) è 150 W a \(T_C\)=25 °C. Intervallo di temperatura operativa e di stoccaggio \(T_j\), \(T_{stg}\) va da -55 °C a 175 °C. Categoria climatica IEC; DIN IEC 68-1 è 55/175/56. Nota 1: J-STD20 e JESD22. Nota 2: Vedere figura 3. Caratteristiche termiche: Resistenza termica, giunzione-case \(R_{thJC}\) ha un valore massimo di 1 K/W. Resistenza termica, giunzione-ambiente \(R_{thJA}\) ha un valore massimo di 75 K/W con impronta minima e un valore massimo di 50 K/W con area di raffreddamento di 6 cm². Nota 3: area di raffreddamento di 6 cm².

Caratteristiche elettriche, a \(T_j\)=25 °C, se non diversamente specificato. Caratteristiche statiche: Tensione di breakdown drain-source \(V_{(BR)DSS}\) è 150 V in condizioni di \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Tensione di soglia gate \(V_{GS(th)}\) va da 2 V a 4 V con un valore tipico di 3 V in condizioni di \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Corrente di drain a tensione gate zero \(I_{DSS}\) ha un valore tipico di 0.1 μA e un valore massimo di 1 μA a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, il suo valore tipico è 10 μA e il valore massimo è 100 μA. Corrente di fuga gate-source \(I_{GSS}\) ha un valore tipico di 1 nA e un valore massimo di 100 nA in condizioni di \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Resistenza drain-source on-state \(R_{DS(on)}\) ha un valore tipico di 16 mΩ e un valore massimo di 20 mA in entrambe le condizioni di \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A e \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Resistenza di gate \(R_G\) ha un valore tipico di 2.4 Ω. Transconduttanza \(g_{fs}\) va da 29 S con un valore tipico di 57 S in condizioni di \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

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