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इन्फिनियन चिप

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 पावर ट्रांजिस्टर एन-चैनल सामान्य स्तर 175 °C ऑपरेटिंग तापमान

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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 पावर ट्रांजिस्टर एन-चैनल सामान्य स्तर 175 °C ऑपरेटिंग तापमान

ब्रांड का नाम:	Infineon Chip
मॉडल नंबर:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
पैकेजिंग विवरण:	2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

दस्तावेज:

नमूना:

IPB200N15N3G

प्रोडक्ट का नाम:

इन्फिनियन चिप

प्रकार:

एसएमडी/एसएमटी

परिचालन तापमान:

- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस

शक्ति का अपव्यय:

150 डब्ल्यू

निरंतर नाली वर्तमान:

आपूर्ति की क्षमता:

100000

प्रमुखता देना:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon चिप

एन-चैनल OptiMOS3

उत्पाद वर्णन

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 पावर-ट्रांजिस्टर N-चैनल, सामान्य स्तर 175 °C ऑपरेटिंग तापमान

OptiMOS™3 पावर-ट्रांजिस्टर N-चैनल, सामान्य स्तर 175 °C ऑपरेटिंग तापमान

विशेषताएं

N-चैनल, सामान्य स्तर

उत्कृष्ट गेट चार्ज x R DS(on) उत्पाद (FOM)

बहुत कम ऑन-रेसिस्टेंस R DS(on)

175 °C ऑपरेटिंग तापमान

Pb-मुक्त लीड प्लेटिंग; RoHS अनुपालक

JEDEC के अनुसार योग्य1) लक्षित अनुप्रयोग के लिए

उच्च-आवृत्ति स्विचिंग और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए आदर्श

IEC61249-2-21 के अनुसार हैलोजन-मुक्त

उत्पाद सारांश

अधिकतम रेटिंग, पर \(T_j\)=25 °C, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो: निरंतर ड्रेन करंट \(I_D\) 50 A है \(T_C\)=25 °C और 40 A पर \(T_C\)=100 °C. पल्स्ड ड्रेन करंट \(I_{D,pulse}\) 200 A है \(T_C\)=25 °C. एवलांच एनर्जी, सिंगल पल्स \(E_{AS}\) 170 mJ है \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. रिवर्स डायोड dv/dt 6 kV/μs है \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. गेट सोर्स वोल्टेज \(V_{GS}\) ±20 V है. पावर डिसिपेशन \(P_{tot}\) 150 W है \(T_C\)=25 °C. ऑपरेटिंग और स्टोरेज तापमान \(T_j\), \(T_{stg}\)-55 °C से 175 °C तक है. IEC क्लाइमेटिक कैटेगरी; DIN IEC 68-1 55/175/56 है. नोट 1: J-STD20 और JESD22. नोट 2: चित्र 3 देखें. थर्मल कैरेक्टरिस्टिक्स: थर्मल रेजिस्टेंस, जंक्शन-केस \(R_{thJC}\) का अधिकतम मान 1 K/W है. थर्मल रेजिस्टेंस, जंक्शन-एम्बिएंट \(R_{thJA}\) का अधिकतम मान 75 K/W है न्यूनतम फुटप्रिंट के साथ और अधिकतम मान 50 K/W है 6 cm² कूलिंग एरिया के साथ. नोट 3: 6 cm² कूलिंग एरिया.

इलेक्ट्रिकल कैरेक्टरिस्टिक्स, पर \(T_j\)=25 °C, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो. स्टैटिक कैरेक्टरिस्टिक्स: ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज \(V_{(BR)DSS}\) 150 V है \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज \(V_{GS(th)}\) 2 V से 4 V तक है जिसका विशिष्ट मान 3 V है \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. जीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट \(I_{DSS}\) का विशिष्ट मान 0.1 μA और अधिकतम मान 1 μA है \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; पर \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, इसका विशिष्ट मान 10 μA और अधिकतम मान 100 μA है. गेट-सोर्स लीकेज करंट \(I_{GSS}\) का विशिष्ट मान 1 nA और अधिकतम मान 100 nA है \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस \(R_{DS(on)}\) का विशिष्ट मान 16 mΩ और अधिकतम मान 20 mA है दोनों स्थितियों में \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A और \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. गेट रेजिस्टेंस \(R_G\) का विशिष्ट मान 2.4 Ω है. ट्रांसकंडक्टेंस \(g_{fs}\) 29 S से 57 S तक है \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

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