chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip Infineon

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel mức bình thường nhiệt độ hoạt động 175 °C

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel mức bình thường nhiệt độ hoạt động 175 °C

Tên thương hiệu:	Infineon Chip
Số mô hình:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
Chi tiết đóng gói:	2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

người mẫu:

IPB200N15N3G

Tên sản phẩm:

Chip Infineon

Kiểu:

SMD/SMT

Nhiệt độ hoạt động:

- 55°C ~ +175°C

Tản điện:

150 w

Dòng xả liên tục:

Khả năng cung cấp:

100000

Làm nổi bật:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-Channel OptiMOS3

Mô tả sản phẩm

Chip Infineon IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor Kênh N, mức thông thường nhiệt độ hoạt động 175 °C

OptiMOS™3 Power-Transistor Kênh N, mức thông thường nhiệt độ hoạt động 175 °C

Đặc điểm

Kênh N, mức thông thường

Điện tích cổng x R DS(on) sản phẩm (FOM)

Điện trở cực thấp R DS(on)

Nhiệt độ hoạt động 175 °C

Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS

Được chứng nhận theo JEDEC1) cho ứng dụng mục tiêu

Lý tưởng cho chuyển mạch tần số cao và chỉnh lưu đồng bộ

Không chứa halogen theo IEC61249-2-21

Tóm tắt sản phẩm

Thông số định mức tối đa, tại \(T_j\)=25 °C, trừ khi có quy định khác: Dòng cực máng liên tục \(I_D\) là 50 A tại \(T_C\)=25 °C và 40 A tại \(T_C\)=100 °C. Dòng cực máng xung \(I_{D,pulse}\) là 200 A tại \(T_C\)=25 °C. Năng lượng thác lũ, xung đơn \(E_{AS}\) là 170 mJ trong điều kiện \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. Tốc độ thay đổi điện áp ngược dv/dt là 6 kV/μs trong điều kiện \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Điện áp cổng-nguồn \(V_{GS}\) là ±20 V. Công suất tiêu tán \(P_{tot}\) là 150 W tại \(T_C\)=25 °C. Nhiệt độ hoạt động và lưu trữ \(T_j\), \(T_{stg}\) dao động từ -55 °C đến 175 °C. Loại khí hậu IEC; DIN IEC 68-1 là 55/175/56. Lưu ý 1: J-STD20 và JESD22. Lưu ý 2: Xem hình 3. Đặc tính nhiệt: Điện trở nhiệt, mối nối-vỏ \(R_{thJC}\) có giá trị tối đa là 1 K/W. Điện trở nhiệt, mối nối-môi trường \(R_{thJA}\) có giá trị tối đa là 75 K/W với diện tích chân đế tối thiểu và giá trị tối đa là 50 K/W với diện tích tản nhiệt 6 cm². Lưu ý 3: diện tích tản nhiệt 6 cm².

Đặc tính điện, tại \(T_j\)=25 °C, trừ khi có quy định khác. Đặc tính tĩnh: Điện áp đánh thủng cực máng-nguồn \(V_{(BR)DSS}\) là 150 V trong điều kiện \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Điện áp ngưỡng cổng \(V_{GS(th)}\) dao động từ 2 V đến 4 V với giá trị điển hình là 3 V trong điều kiện \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Dòng cực máng điện áp cổng bằng không \(I_{DSS}\) có giá trị điển hình là 0.1 μA và giá trị tối đa là 1 μA tại \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; tại \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, giá trị điển hình của nó là 10 μA và giá trị tối đa là 100 μA. Dòng rò cổng-nguồn \(I_{GSS}\) có giá trị điển hình là 1 nA và giá trị tối đa là 100 nA trong điều kiện \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Điện trở cực máng-nguồn khi bật \(R_{DS(on)}\) có giá trị điển hình là 16 mΩ và giá trị tối đa là 20 mA trong cả hai điều kiện \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A và \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Điện trở cổng \(R_G\) có giá trị điển hình là 2.4 Ω. Độ dẫn điện \(g_{fs}\) dao động từ 29 S với giá trị điển hình là 57 S trong điều kiện \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel mức bình thường nhiệt độ hoạt động 175 °C

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI