Ürün ayrıntıları

Evde Ürün

Infineon Çip

IPB200N15N3G Infineon Çip OptiMOS3 Güç Transistörü N-kanal normal seviye 175 °C çalışma sıcaklığı

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Bizimle İletişim

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Şimdi iletişime geçin

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

IPB200N15N3G Infineon Çip OptiMOS3 Güç Transistörü N-kanal normal seviye 175 °C çalışma sıcaklığı

Marka Adı:	Infineon Chip
Model Numarası:	IPB200N15N3G
Adedi:	2500
Paketleme Detayları:	2500 adet/makara
Ödeme Koşulları:	T/T

Detay Bilgisi

Ürün Açıklaması

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Belge:

modeli:

IPB200N15N3G

Ürün adı:

Infineon Çip

SMD/SMT

Çalışma Sıcaklığı:

- 55 °C ~ + 175 °C

Güç Dağılımı:

150 W

Sürekli Tahliye Akımı:

Yetenek temini:

100000

Vurgulamak:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Çip

N-Kanal OptiMOS3

Ürün Açıklaması

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Güç Transistörü N-kanal, normal seviye 175 °C çalışma sıcaklığı

OptiMOS™3 Güç Transistörü N-kanal, normal seviye 175 °C çalışma sıcaklığı

Özellikler

N-kanal, normal seviye

Mükemmel kapı şarjı x R DS(on) ürün (FOM)

Çok düşük iletim direnci R DS(on)

175 °C çalışma sıcaklığı

Pb-içermeyen kurşun kaplama; RoHS uyumlu

JEDEC'e göre nitelikli1) hedef uygulama için

Yüksek frekanslı anahtarlama ve senkron düzeltme için ideal

IEC61249-2-21'e göre halojensiz

Ürün Özeti

Maksimum değerler, \(T_j\)=25 °C, aksi belirtilmedikçe: Sürekli boşaltma akımı \(I_D\) 50 A, \(T_C\)=25 °C ve 40 A, \(T_C\)=100 °C'dir. Darbe boşaltma akımı \(I_{D,pulse}\) 200 A, \(T_C\)=25 °C'dir. Tek darbe avalanş enerjisi \(E_{AS}\) 170 mJ, \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω koşulları altında. Ters diyot dv/dt, \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C koşulları altında 6 kV/μs'dir. Kapı-kaynak voltajı \(V_{GS}\) ±20 V'dur. Güç dağılımı \(P_{tot}\) 150 W, \(T_C\)=25 °C'dir. Çalışma ve depolama sıcaklığı \(T_j\), \(T_{stg}\)-55 °C ila 175 °C aralığındadır. IEC iklim kategorisi; DIN IEC 68-1 55/175/56'dır. Not 1: J-STD20 ve JESD22. Not 2: Şekil 3'e bakınız. Termal özellikler: Termal direnç, kavşak-kasa \(R_{thJC}\) maksimum 1 K/W değerine sahiptir. Termal direnç, kavşak-ortam \(R_{thJA}\) minimum ayak izi ile maksimum 75 K/W ve 6 cm² soğutma alanı ile maksimum 50 K/W değerine sahiptir. Not 3: 6 cm² soğutma alanı.

Elektriksel özellikler, \(T_j\)=25 °C, aksi belirtilmedikçe. Statik özellikler: Boşaltma-kaynak kırılma voltajı \(V_{(BR)DSS}\) 150 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA koşulları altında. Kapı eşik voltajı \(V_{GS(th)}\) 2 V ila 4 V aralığında, tipik değeri 3 V, \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA koşulları altında. Sıfır kapı voltajı boşaltma akımı \(I_{DSS}\) tipik 0.1 μA ve maksimum 1 μA, \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C'de tipik 10 μA ve maksimum 100 μA'dır. Kapı-kaynak kaçak akımı \(I_{GSS}\) tipik 1 nA ve maksimum 100 nA, \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V koşulları altında. Boşaltma-kaynak iletim direnci \(R_{DS(on)}\) tipik 16 mΩ ve maksimum 20 mA, \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A ve \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A koşulları altında. Kapı direnci \(R_G\) tipik 2.4 Ω'dır. Transkondüktans \(g_{fs}\) 29 S aralığında, tipik 57 S, \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A koşulları altında.

Etiketler:

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Ürün ayrıntıları

IPB200N15N3G Infineon Çip OptiMOS3 Güç Transistörü N-kanal normal seviye 175 °C çalışma sıcaklığı

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri