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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Leistungstransistor N-Kanal Normalpegel 175 °C Betriebstemperatur

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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Leistungstransistor N-Kanal Normalpegel 175 °C Betriebstemperatur

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IPB200N15N3G
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IPB200N15N3G

Produktname:

Infineon-Chip

SMD/SMT

Betriebstemperatur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Verlustleistung:

150 w

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-Kanal OptiMOS3

Produktbeschreibung

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-Kanal, Normalpegel 175 °C Betriebstemperatur

OptiMOS™3 Power-Transistor N-Kanal, Normalpegel 175 °C Betriebstemperatur

Merkmale

N-Kanal, Normalpegel

Exzellente Gate-Ladung x R DS(on) Produkt (FOM)

Sehr geringer Einschaltwiderstand R DS(on)

175 °C Betriebstemperatur

Pb-freie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Qualifiziert nach JEDEC1) für Zielanwendung

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Produktsummary

Maximale Kennwerte, bei \(T_j\)=25 °C, sofern nicht anders angegeben: Kontinuierlicher Drainstrom \(I_D\) beträgt 50 A bei \(T_C\)=25 °C und 40 A bei \(T_C\)=100 °C. Gepulster Drainstrom \(I_{D,pulse}\) beträgt 200 A bei \(T_C\)=25 °C. Lawinenenergie, Einzelpuls \(E_{AS}\) beträgt 170 mJ unter den Bedingungen \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. Sperrdiode dv/dt beträgt 6 kV/μs unter den Bedingungen \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Gate-Source-Spannung \(V_{GS}\) beträgt ±20 V. Verlustleistung \(P_{tot}\) beträgt 150 W bei \(T_C\)=25 °C. Betriebs- und Lagertemperatur \(T_j\), \(T_{stg}\) reichen von -55 °C bis 175 °C. IEC-Klimakategorie; DIN IEC 68-1 ist 55/175/56. Hinweis 1: J-STD20 und JESD22. Hinweis 2: Siehe Abbildung 3. Thermische Eigenschaften: Wärmewiderstand, Junction-Case \(R_{thJC}\) hat einen Maximalwert von 1 K/W. Wärmewiderstand, Junction-Ambient \(R_{thJA}\) hat einen Maximalwert von 75 K/W mit minimalem Footprint und einen Maximalwert von 50 K/W mit 6 cm² Kühlfläche. Hinweis 3: 6 cm² Kühlfläche.

Elektrische Kennwerte, bei \(T_j\)=25 °C, sofern nicht anders angegeben. Statische Kennwerte: Drain-Source-Durchbruchspannung \(V_{(BR)DSS}\) beträgt 150 V unter den Bedingungen \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Gate-Schwellenspannung \(V_{GS(th)}\) reicht von 2 V bis 4 V mit einem typischen Wert von 3 V unter den Bedingungen \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Sperrstrom im Null-Gate-Zustand \(I_{DSS}\) hat einen typischen Wert von 0,1 μA und einen Maximalwert von 1 μA bei \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; bei \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, ist sein typischer Wert 10 μA und sein Maximalwert 100 μA. Gate-Source-Leckstrom \(I_{GSS}\) hat einen typischen Wert von 1 nA und einen Maximalwert von 100 nA unter den Bedingungen \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Drain-Source-Einschaltwiderstand \(R_{DS(on)}\) hat einen typischen Wert von 16 mΩ und einen Maximalwert von 20 mA unter beiden Bedingungen \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A und \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Gate-Widerstand \(R_G\) hat einen typischen Wert von 2,4 Ω. Transkonduktanz \(g_{fs}\) reicht von 29 S mit einem typischen Wert von 57 S unter den Bedingungen \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

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