Name: IPB200N15N3G Chip Infineon OptiMOS3 Transistor de potencia de canal N con temperatura de funcionamiento normal de 175 °C
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IPB200N15N3G
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IPB200N15N3G
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Infineon_IPB200N15N3_G_DS_v...EN.pdf

modelo:

IPB200N15N3G

Nombre del producto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

150 W

Corriente continua del dren:

50 A

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IPB200N15N3G

El chip IPB200N15N3 de Infineon

OptiMOS3 de canal N

Descripción del Producto

Chip Infineon IPB200N15N3G OptiMOS™3 Transistor de potencia Canal N, nivel normal Temperatura de operación de 175 °C

Transistor de potencia OptiMOS™3 Canal N, nivel normal Temperatura de operación de 175 °C

Características

Canal N, nivel normal

Excelente carga de compuerta x R DS(on) producto (FOM)

Muy baja resistencia de encendido R DS(on)

Temperatura de operación de 175 °C

Recubrimiento de plomo libre de Pb; Cumple con RoHS

Calificado según JEDEC1) para la aplicación objetivo

Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Resumen del producto

Máximas clasificaciones, a \(T_j\)=25 °C, a menos que se especifique lo contrario: Corriente continua de drenaje \(I_D\) es de 50 A a \(T_C\)=25 °C y 40 A a \(T_C\)=100 °C. Corriente de drenaje pulsada \(I_{D,pulse}\) es de 200 A a \(T_C\)=25 °C. Energía de avalancha, pulso único \(E_{AS}\) es de 170 mJ bajo condiciones de \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt del diodo inverso es de 6 kV/μs bajo condiciones de \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Voltaje compuerta-fuente \(V_{GS}\) es ±20 V. Disipación de potencia \(P_{tot}\) es de 150 W a \(T_C\)=25 °C. Rango de temperatura de operación y almacenamiento \(T_j\), \(T_{stg}\) va de -55 °C a 175 °C. Categoría climática IEC; DIN IEC 68-1 es 55/175/56. Nota 1: J-STD20 y JESD22. Nota 2: Ver figura 3. Características térmicas: Resistencia térmica, unión-carcasa \(R_{thJC}\) tiene un valor máximo de 1 K/W. Resistencia térmica, unión-ambiente \(R_{thJA}\) tiene un valor máximo de 75 K/W con huella mínima y un valor máximo de 50 K/W con área de enfriamiento de 6 cm². Nota 3: Área de enfriamiento de 6 cm².

Características eléctricas, a \(T_j\)=25 °C, a menos que se especifique lo contrario. Características estáticas: Voltaje de ruptura drenaje-fuente \(V_{(BR)DSS}\) es de 150 V bajo condiciones de \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Voltaje umbral de compuerta \(V_{GS(th)}\) varía de 2 V a 4 V con un valor típico de 3 V bajo condiciones de \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Corriente de drenaje a voltaje de compuerta cero \(I_{DSS}\) tiene un valor típico de 0.1 μA y un valor máximo de 1 μA a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; a \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, su valor típico es de 10 μA y su valor máximo es de 100 μA. Corriente de fuga compuerta-fuente \(I_{GSS}\) tiene un valor típico de 1 nA y un valor máximo de 100 nA bajo condiciones de \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Resistencia de encendido drenaje-fuente \(R_{DS(on)}\) tiene un valor típico de 16 mΩ y un valor máximo de 20 mA bajo ambas condiciones de \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A y \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Resistencia de compuerta \(R_G\) tiene un valor típico de 2.4 Ω. Transconductancia \(g_{fs}\) varía de 29 S con un valor típico de 57 S bajo condiciones de \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

Etiquetas:

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