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IPB200N15N3G Infineon 칩 OptiMOS3 전력 트랜지스터 N채널 일반 레벨 175°C 작동 온도

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IPB200N15N3G Infineon 칩 OptiMOS3 전력 트랜지스터 N채널 일반 레벨 175°C 작동 온도

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IPB200N15N3G

인피니언 칩

SMD/SMT

작동 온도:

- 55°C ~ + 175°C

전력 소비:

150 W.

연속배수 경향:

공급 능력:

100000

강조하다:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon 칩

N채널 OptiMOS3

제품 설명

인피니온 칩 IPB200N15N3G OptiMOSTM3 전력 트랜지스터 N 채널, 정상 수준의 175 °C 운영 온도

OptiMOSTM3 전력 트랜지스터 N 채널, 정상 레벨 175 °C 작동 온도

특징

N 채널, 정상 수준

우수한 게이트 충전 xRDS (동)제품 (FOM)

매우 낮은 저항RDS (동)

175 °C의 작동 온도

Pb 없는 납 접착; RoHS 준수

JEDEC에 따라 자격1)표적용

고 주파수 전환 및 동기 교정에 이상적입니다.

IEC61249-2-21에 따라 하로겐이 없는

제품 요약

최대 등급은Tj)=25 °C, 달리 정하지 않은 경우: 지속적인 배수 전류I.D.50A입니다.T_C=25 °C, 40 AT_C=100 °C. 펄스 배수 전류I_{D, 펄스}200A입니다T_C=25 °C. 계곡 에너지, 단일 펄스(주) E_{AS}170mJ입니다.I.D.=50 A,맙소사=25 Ω. 역 다이오드 dv/dt는 6 kV/μs의 조건에서I.D.=50 A,젠장!=120 V, di/dt=100 A/μsTJ,max)=175 °C. 게이트 소스 전압(V_{GS})±20V입니다. 전력 소모ᄋᄋᄋ150W입니다.T_C=25 °C. 작동 온도 및 보관 온도Tj),젠장!-55 °C에서 175 °C까지. IEC 기후 범주; DIN IEC 68-1은 55/175/56입니다. 참고 1: J-STD20 및 JESD22. 참고 2: 그림 3 참조. 열 특성: 열 저항, 접합 케이스젠장!최대 값은 1 K/W입니다. 열 저항, 연결 환경젠장!최대 75 K/W의 최대 값과 최소 발자국, 최대 50 K/W의 최대 값과 6 cm2의 냉각 면적. 참고 3: 6 cm2의 냉각 면적.

전기적 특성Tj)=25 °C, 달리 정하지 않은 경우. 정적 특성: 배수원 분해 전압DSS (DSS)150V의 조건에서(V_{GS})=0 V,I.D.=1mA. 포트 문정 전압젠장!2V에서 4V까지의 범위에서젠장!=(V_{GS}),I.D.=90 μA. 제로 게이트 전압 배수 전류젠장!일반적인 값은 0.1μA이고 최대 값은 1μA입니다.젠장!=120V,(V_{GS})=0 V,Tj)=25 °C;젠장!=120V,(V_{GS})=0 V,Tj)=125 °C, 그 전형적인 값은 10 μA이고 최대 값은 100 μA입니다. 게이트 소스 누출 전류젠장!1nA의 전형적 값과 100nA의 최대 값이(V_{GS})=20V,젠장!=0 V. 정상 상태의 배수 소스 저항젠장!두 가지 조건에서 전형적인 값은 16mΩ이고 최대 값은 20mA입니다.(V_{GS})=10V,I.D.=50A 및(V_{GS})=8V,I.D.=25 A. 게이트 저항RG)전형적인 값은 2.4 Ω입니다. 송도성젠장29S에서 57S의 전형적인 값으로2차례에 2차례에 최대,I.D.=50A

태그:

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