جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه Infineon

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 ترانزیستور قدرت کانال N سطح نرمال دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 ترانزیستور قدرت کانال N سطح نرمال دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

نام تجاری:	Infineon Chip
شماره مدل:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
جزئیات بسته بندی:	2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

IPB200N15N3G

نام محصول:

تراشه Infineon

تایپ کنید:

SMD/SMT

دمای عملیاتی:

- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد

اتلاف نیرو:

150 وات

جریان تخلیه مداوم:

50 الف

قابلیت ارائه:

100000

برجسته کردن:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

OptiMOS3 کانال N

توضیحات محصول

تراشه Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 ترانزیستور قدرت N-channel، سطح نرمال، دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

OptiMOS™3 ترانزیستور قدرت N-channel، سطح نرمال، دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

ویژگی ها

N-channel، سطح نرمال

شارژ گیت عالی x R DS(on) محصول (FOM)

مقاومت بسیار کم در حالت روشن R DS(on)

دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

پوشش سرب بدون سرب؛ مطابق با RoHS

مطابق با JEDEC واجد شرایط است1) برای برنامه هدف

ایده آل برای سوئیچینگ فرکانس بالا و یکسوسازی همزمان

بدون هالوژن مطابق با IEC61249-2-21

خلاصه محصول

حداکثر رتبه بندی ها، در \(T_j\)=25 درجه سانتیگراد، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد: جریان پیوسته درین \(I_D\) 50 آمپر در \(T_C\)=25 درجه سانتیگراد و 40 آمپر در \(T_C\)=100 درجه سانتیگراد است. جریان پالسی درین \(I_{D,pulse}\) 200 آمپر در \(T_C\)=25 درجه سانتیگراد است. انرژی بهمنی، تک پالس \(E_{AS}\) 170 میلی ژول تحت شرایط \(I_D\)=50 آمپر، \(R_{GS}\)=25 اهم است. dv/dt دیود معکوس 6 کیلو ولت بر میکرو ثانیه تحت شرایط \(I_D\)=50 آمپر، \(V_{DS}\)=120 ولت، di/dt=100 آمپر بر میکرو ثانیه، \(T_{j,max}\)=175 درجه سانتیگراد است. ولتاژ گیت به سورس \(V_{GS}\) ±20 ولت است. اتلاف توان \(P_{tot}\) 150 وات در \(T_C\)=25 درجه سانتیگراد است. دمای عملیاتی و ذخیره سازی \(T_j\), \(T_{stg}\) از -55 درجه سانتیگراد تا 175 درجه سانتیگراد متغیر است. دسته بندی آب و هوایی IEC؛ DIN IEC 68-1 برابر با 55/175/56 است. نکته 1: J-STD20 و JESD22. نکته 2: به شکل 3 مراجعه کنید. مشخصات حرارتی: مقاومت حرارتی، اتصال به کیس \(R_{thJC}\) حداکثر مقدار 1 کلوین بر وات را دارد. مقاومت حرارتی، اتصال به محیط \(R_{thJA}\) حداکثر مقدار 75 کلوین بر وات را با حداقل رد پا و حداکثر مقدار 50 کلوین بر وات را با مساحت خنک کننده 6 سانتی متر مربع دارد. نکته 3: مساحت خنک کننده 6 سانتی متر مربع.

مشخصات الکتریکی، در \(T_j\)=25 درجه سانتیگراد، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد. مشخصات استاتیک: ولتاژ شکست درین به سورس \(V_{(BR)DSS}\) 150 ولت تحت شرایط \(V_{GS}\)=0 ولت، \(I_D\)=1 میلی آمپر است. ولتاژ آستانه گیت \(V_{GS(th)}\) از 2 ولت تا 4 ولت با مقدار معمول 3 ولت تحت شرایط \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 میکرو آمپر متغیر است. جریان درین در ولتاژ گیت صفر \(I_{DSS}\) مقدار معمول 0.1 میکرو آمپر و حداکثر مقدار 1 میکرو آمپر در \(V_{DS}\)=120 ولت، \(V_{GS}\)=0 ولت، \(T_j\)=25 درجه سانتیگراد دارد؛ در \(V_{DS}\)=120 ولت، \(V_{GS}\)=0 ولت، \(T_j\)=125 درجه سانتیگراد، مقدار معمول آن 10 میکرو آمپر و حداکثر مقدار آن 100 میکرو آمپر است. جریان نشتی گیت به سورس \(I_{GSS}\) مقدار معمول 1 نانو آمپر و حداکثر مقدار 100 نانو آمپر تحت شرایط \(V_{GS}\)=20 ولت، \(V_{DS}\)=0 ولت دارد. مقاومت درین به سورس در حالت روشن \(R_{DS(on)}\) مقدار معمول 16 میلی اهم و حداکثر مقدار 20 میلی اهم را تحت هر دو شرایط \(V_{GS}\)=10 ولت، \(I_D\)=50 آمپر و \(V_{GS}\)=8 ولت، \(I_D\)=25 آمپر دارد. مقاومت گیت \(R_G\) مقدار معمول 2.4 اهم را دارد. ترانس‌کانداکتانس \(g_{fs}\) از 29 اسیمنس با مقدار معمول 57 اسیمنس تحت شرایط \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 آمپر متغیر است.

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 ترانزیستور قدرت کانال N سطح نرمال دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI