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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 パワートランジスタ Nチャネルノーマルレベル動作温度175℃

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IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 パワートランジスタ Nチャネルノーマルレベル動作温度175℃

ブランド名:	Infineon Chip
モデル番号:	IPB200N15N3G
MOQ:	2500
梱包の詳細:	2500個/リール
支払い条件:	T/T

起源の場所:

IPB200N15N3G

インフィニオンチップ

SMD/SMT

動作温度:

-55℃～+175℃

消費電力:

150 W

連続的な下水管の流れ:

供給の能力:

100000

ハイライト:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

Nチャネル OptiMOS3

製品説明

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 パワートランジスタ Nチャネル、ノーマルレベル動作温度175℃

OptiMOS™3 パワートランジスタ Nチャネル、ノーマルレベル動作温度175℃

特徴

Nチャネル、ノーマルレベル

優れたゲート電荷 x R DS(on) 製品 (FOM)

非常に低いオン抵抗 R DS(on)

動作温度175℃

Pbフリーリードメッキ; RoHS準拠

JEDECに準拠して認定済み1)ターゲットアプリケーション向け

高周波スイッチングおよび同期整流に最適

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

製品概要

最大定格、\(T_j\)=25℃、特に指定がない限り: 連続ドレイン電流 \(I_D\) は、\(T_C\)=25℃で50A、\(T_C\)=100℃で40Aです。パルスドレイン電流 \(I_{D,pulse}\) は、\(T_C\)=25℃で200Aです。アバランシェエネルギー、単一パルス \(E_{AS}\) は、\(I_D\)=50A、\(R_{GS}\)=25Ωの条件下で170mJです。逆ダイオードdv/dtは、\(I_D\)=50A、\(V_{DS}\)=120V、di/dt=100A/μs、\(T_{j,max}\)=175℃の条件下で6kV/μsです。ゲートソース電圧 \(V_{GS}\) は±20Vです。電力損失 \(P_{tot}\) は、\(T_C\)=25℃で150Wです。動作および保管温度 \(T_j\)、\(T_{stg}\) は-55℃から175℃の範囲です。IEC気候カテゴリ; DIN IEC 68-1は55/175/56です。注1: J-STD20およびJESD22。注2: 図3を参照してください。熱特性: 熱抵抗、接合部-ケース \(R_{thJC}\) は最大値1K/Wです。熱抵抗、接合部-周囲 \(R_{thJA}\) は最小フットプリントで最大値75K/W、6cm²の冷却面積で最大値50K/Wです。注3: 6cm²の冷却面積。

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