Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Чип Инфинеон

IPB200N15N3G Infineon Чип OptiMOS3 Силовой транзистор N-канальный нормальный уровень 175 °C рабочая температура

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

IPB200N15N3G Infineon Чип OptiMOS3 Силовой транзистор N-канальный нормальный уровень 175 °C рабочая температура

Название бренда:	Infineon Chip
Номер модели:	ИПБ200Н15Н3Г
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

ИПБ200Н15Н3Г

Название продукта:

Чип Инфинеон

СМД/СМТ

Рабочая температура:

- 55°С ~ + 175°С

Рассеяние мощности:

150 Вт

Непрерывное течение стока:

Поставка способности:

100000

Выделить:

ИПБ200Н15Н3Г

IPB200N15N3 Infineon Чип

N-канальный OptiMOS3

Описание продукта

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, normal level 175 °C operating temperature

OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, normal level 175 °C operating temperature

Особенности

N-канальный, нормальный уровень

Отличное значение заряда затвора x R DS(on) продукт (FOM)

Очень низкое сопротивление во включенном состоянии R DS(on)

Рабочая температура 175 °C

Свинцовое покрытие без содержания свинца; соответствует RoHS

Квалифицировано согласно JEDEC1) для целевого применения

Идеально подходит для высокочастотных коммутаций и синхронного выпрямления

Без галогенов согласно IEC61249-2-21

Сводка по продукту

Максимальные характеристики при \(V_{GS}\)=25 °C, если не указано иное: непрерывный ток стока \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\) составляет 50 А при \(P_{tot}\)=25 °C и 40 А при \(P_{tot}\)=100 °C. Импульсный ток стока \(I_{D,pulse}\) составляет 200 А при \(P_{tot}\)=25 °C. Энергия лавины, одиночный импульс \(E_{AS}\) составляет 170 мДж при условиях \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\) составляет 6 кВ/μs при условиях \(R_{GS}\)=25 Ω. Скорость изменения напряжения обратно смещенного диода \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\) составляет 6 кВ/μs при условиях \(V_{GS}\)=50 А, \(V_{DS}\)=120 В, di/dt=100 А/μs, \(I_D\)=175 °C. Напряжение затвор-исток \(V_{GS}\) составляет ±20 В. Рассеиваемая мощность \(P_{tot}\) составляет 150 Вт при \(V_{GS}\) составляет от 29 С с типичным значением 57 С при условиях \(T_j\), \(T_{stg}\) от -55 °C до 175 °C. Климатическая категория IEC; DIN IEC 68-1 составляет 55/175/56. Примечание 1: J-STD20 и JESD22. Примечание 2: см. рис. 3. Тепловые характеристики: тепловое сопротивление, переход-корпус \(R_{thJC}\) имеет максимальное значение 1 К/Вт. Тепловое сопротивление, переход-окружение

\(R_{thJA}\)\(V_{GS}\)Электрические характеристики при \(T_j\)=25 °C, если не указано иное. Статические характеристики: напряжение пробоя сток-исток \(I_D\)=120 В, \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\)=0 В, \(I_D\)=1 мА. Напряжение порога затвора \(V_{GS}\) составляет от 2 В до 4 В с типичным значением 3 В при условиях \(I_D\) составляет от 29 С с типичным значением 57 С при условиях \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=90 μA. Ток стока при нулевом напряжении затвора \(V_{GS}\)=25 °C; при \(I_D\)=120 В, \(V_{GS}\)=0 В, \(V_{GS}\)=25 °C; при \(I_D\)=120 В, \(V_{GS}\)=0 В, \(T_j\)=125 °C, его типичное значение составляет 10 μA, а максимальное значение - 100 μA. Ток утечки затвор-исток \(I_D\) имеет типичное значение 1 нА и максимальное значение 100 нА при условиях \(V_{GS}\)=20 В, \(V_{DS}\)=0 В. Сопротивление сток-исток во включенном состоянии \(I_D\) имеет типичное значение 16 мΩ и максимальное значение 20 мА при обоих условиях \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\)=10 В, \(I_D\)=50 А и \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\)=8 В, \(I_D\)=25 А. Сопротивление затвора \(R_G\) имеет типичное значение 2,4 Ω. Крутизна \(g_{fs}\) составляет от 29 С с типичным значением 57 С при условиях \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\),

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

IPB200N15N3G Infineon Чип OptiMOS3 Силовой транзистор N-канальный нормальный уровень 175 °C рабочая температура

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI