รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

อินฟิเนียนชิป

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel ระดับปกติ อุณหภูมิใช้งาน 175 °C

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel ระดับปกติ อุณหภูมิใช้งาน 175 °C

ชื่อแบรนด์:	Infineon Chip
หมายเลขรุ่น:	IPB200N15N3G
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

IPB200N15N3G

ชื่อสินค้า:

อินฟิเนียนชิป

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส

การกระจายพลังงาน:

150 W

กระแสเดรนต่อเนื่อง:

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

IPB200N15N3G

IPB200N15N3 Infineon Chip

N-Channel OptiMOS3

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, normal level 175 °C อุณหภูมิการทำงาน

OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, normal level 175 °C อุณหภูมิการทำงาน

คุณสมบัติ

N-channel, normal level

ประจุเกต x R DS(on) ผลิตภัณฑ์ (FOM)

ความต้านทานเปิดต่ำมาก R DS(on)

175 °C อุณหภูมิการทำงาน

การเคลือบตะกั่วปราศจากสารตะกั่ว; เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ผ่านการรับรองตามมาตรฐาน JEDEC1) สำหรับแอปพลิเคชันเป้าหมาย

เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสวิตช์ความถี่สูงและการเรียงกระแสแบบซิงโครนัส

ปราศจากฮาโลเจนตามมาตรฐาน IEC61249-2-21

สรุปผลิตภัณฑ์

พิกัดสูงสุด, ที่ \(T_j\)=25 °C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น: กระแสเดรนต่อเนื่อง \(I_D\) คือ 50 A ที่ \(T_C\)=25 °C และ 40 A ที่ \(T_C\)=100 °C. กระแสเดรนแบบพัลส์ \(I_{D,pulse}\) คือ 200 A ที่ \(T_C\)=25 °C. พลังงานอะวาลานช์, พัลส์เดียว \(E_{AS}\) คือ 170 mJ ภายใต้เงื่อนไขของ \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt ของไดโอดผกผัน คือ 6 kV/μs ภายใต้เงื่อนไขของ \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. แรงดันเกต-แหล่งจ่าย \(V_{GS}\) คือ ±20 V. การกระจายกำลังงาน \(P_{tot}\) คือ 150 W ที่ \(T_C\)=25 °C. อุณหภูมิการทำงานและอุณหภูมิการจัดเก็บ \(T_j\), \(T_{stg}\) อยู่ในช่วง -55 °C ถึง 175 °C. หมวดหมู่สภาพอากาศ IEC; DIN IEC 68-1 คือ 55/175/56. หมายเหตุ 1: J-STD20 และ JESD22. หมายเหตุ 2: ดูรูปที่ 3. คุณสมบัติทางความร้อน: ความต้านทานความร้อน, รอยต่อ-เคส \(R_{thJC}\) มีค่าสูงสุด 1 K/W. ความต้านทานความร้อน, รอยต่อ-สิ่งแวดล้อม \(R_{thJA}\) มีค่าสูงสุด 75 K/W ด้วยพื้นที่น้อยที่สุด และค่าสูงสุด 50 K/W ด้วยพื้นที่ระบายความร้อน 6 cm². หมายเหตุ 3: พื้นที่ระบายความร้อน 6 cm².

คุณสมบัติทางไฟฟ้า, ที่ \(T_j\)=25 °C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น. คุณสมบัติคงที่: แรงดันพังทลายเดรน-แหล่งจ่าย \(V_{(BR)DSS}\) คือ 150 V ภายใต้เงื่อนไขของ \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. แรงดันเกต-แหล่งจ่าย (เปิด) \(V_{GS(th)}\) อยู่ในช่วง 2 V ถึง 4 V โดยมีค่าทั่วไป 3 V ภายใต้เงื่อนไขของ \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. กระแสเดรนที่แรงดันเกตเป็นศูนย์ \(I_{DSS}\) มีค่าทั่วไป 0.1 μA และค่าสูงสุด 1 μA ที่ \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; ที่ \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, ค่าทั่วไปคือ 10 μA และค่าสูงสุดคือ 100 μA. กระแสรั่วไหลเกต-แหล่งจ่าย \(I_{GSS}\) มีค่าทั่วไป 1 nA และค่าสูงสุด 100 nA ภายใต้เงื่อนไขของ \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. ความต้านทานเดรน-แหล่งจ่ายขณะเปิด \(R_{DS(on)}\) มีค่าทั่วไป 16 mΩ และค่าสูงสุด 20 mA ภายใต้เงื่อนไขทั้งสองของ \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A และ \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. ความต้านทานเกต \(R_G\) มีค่าทั่วไป 2.4 Ω. การนำส่ง \(g_{fs}\) อยู่ในช่วง 29 S โดยมีค่าทั่วไป 57 S ภายใต้เงื่อนไขของ \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel ระดับปกติ อุณหภูมิใช้งาน 175 °C

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI