logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel level normal suhu operasi 175 °C

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel level normal suhu operasi 175 °C

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IPB200N15N3G
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IPB200N15N3G
Nama Produk:
Chip Infineon
Jenis:
SMD/SMT
Suhu Operasional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
150 w
Arus Tiriskan Terus Menerus:
50 a
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IPB200N15N3G

,

IPB200N15N3 Infineon Chip

,

N-Channel OptiMOS3

Deskripsi Produk

Chip Infineon IPB200N15N3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, level normal suhu operasi 175 °C


OptiMOS™3 Power-Transistor N-channel, level normal suhu operasi 175 °C


Fitur
N-channel, level normal
Biaya gerbang x yang sangat baikR DS(on) produk (FOM)
Resistansi on yang sangat rendah R DS(on)
suhu operasi 175 °C 
Pelapisan timah bebas Pb; sesuai RoHS 
Berkualifikasi sesuai JEDEC1) untuk aplikasi target
Ideal untuk switching frekuensi tinggi dan penyearahan sinkron 
Bebas halogen sesuai IEC61249-2-21 


Ringkasan Produk
IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel level normal suhu operasi 175 °C

IPB200N15N3G Infineon Chip OptiMOS3 Power Transistor N-channel level normal suhu operasi 175 °C


Peringkat maksimum, pada \(T_j\)=25 °C, kecuali dinyatakan lain: Arus drain kontinu \(I_D\) adalah 50 A pada \(T_C\)=25 °C dan 40 A pada \(T_C\)=100 °C. Arus drain berdenyut \(I_{D,pulse}\) adalah 200 A pada \(T_C\)=25 °C. Energi longsoran, denyut tunggal \(E_{AS}\) adalah 170 mJ dalam kondisi \(I_D\)=50 A, \(R_{GS}\)=25 Ω. dv/dt dioda terbalik adalah 6 kV/μs dalam kondisi \(I_D\)=50 A, \(V_{DS}\)=120 V, di/dt=100 A/μs, \(T_{j,max}\)=175 °C. Tegangan gerbang-sumber \(V_{GS}\) adalah ±20 V. Disipasi daya \(P_{tot}\) adalah 150 W pada \(T_C\)=25 °C. Suhu operasi dan penyimpanan \(T_j\), \(T_{stg}\) berkisar dari -55 °C hingga 175 °C. Kategori iklim IEC; DIN IEC 68-1 adalah 55/175/56. Catatan 1: J-STD20 dan JESD22. Catatan 2: Lihat gambar 3. Karakteristik termal: Resistansi termal, sambungan-wadah \(R_{thJC}\) memiliki nilai maksimum 1 K/W. Resistansi termal, sambungan-ambient \(R_{thJA}\) memiliki nilai maksimum 75 K/W dengan jejak minimal dan nilai maksimum 50 K/W dengan area pendinginan 6 cm². Catatan 3: area pendinginan 6 cm².

Karakteristik listrik, pada \(T_j\)=25 °C, kecuali dinyatakan lain. Karakteristik statis: Tegangan tembus drain-sumber \(V_{(BR)DSS}\) adalah 150 V dalam kondisi \(V_{GS}\)=0 V, \(I_D\)=1 mA. Tegangan ambang gerbang \(V_{GS(th)}\) berkisar dari 2 V hingga 4 V dengan nilai tipikal 3 V dalam kondisi \(V_{DS}\)=\(V_{GS}\), \(I_D\)=90 μA. Arus drain tegangan gerbang nol \(I_{DSS}\) memiliki nilai tipikal 0,1 μA dan nilai maksimum 1 μA pada \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=25 °C; pada \(V_{DS}\)=120 V, \(V_{GS}\)=0 V, \(T_j\)=125 °C, nilai tipikalnya adalah 10 μA dan nilai maksimumnya adalah 100 μA. Arus bocor gerbang-sumber \(I_{GSS}\) memiliki nilai tipikal 1 nA dan nilai maksimum 100 nA dalam kondisi \(V_{GS}\)=20 V, \(V_{DS}\)=0 V. Resistansi keadaan on drain-sumber \(R_{DS(on)}\) memiliki nilai tipikal 16 mΩ dan nilai maksimum 20 mA dalam kedua kondisi \(V_{GS}\)=10 V, \(I_D\)=50 A dan \(V_{GS}\)=8 V, \(I_D\)=25 A. Resistansi gerbang \(R_G\) memiliki nilai tipikal 2,4 Ω. Transkonduktansi \(g_{fs}\) berkisar dari 29 S dengan nilai tipikal 57 S dalam kondisi \(|V_{DS}|>2|I_D|R_{DS(on)max}\), \(I_D\)=50 A.