szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IR21814STRPBF Infineon Sterownik Bramki Używa Standardowych Układów Sterujących do Generowania Ujemnego Napięcia Bramki dla MOSFETów i IGBT

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IR21814STRPBF Infineon Sterownik Bramki Używa Standardowych Układów Sterujących do Generowania Ujemnego Napięcia Bramki dla MOSFETów i IGBT

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IR21814STRPBF

Nazwa produktu:

Chip Infineona

SMD/SMT

Prąd wyjściowy:

1,8 A

Napięcie zasilania:

10 V-20 V

Temperatura pracy:

- 40°C ~ + 125°C

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Sterownik Bramki

Standardowy Sterownik Bramki Układu Sterującego

Opis produktu

Układ Infineon IR21814STRPBF wykorzystujący standardowe układy sterujące do generowania ujemnego napięcia bramki dla MOSFETów i IGBT

Wykorzystanie standardowych układów sterujących do generowania ujemnego napięcia bramki dla MOSFETów i IGBT

Wprowadzenie

Z natury ani MOSFET, ani IGBT nie wymagają ujemnego napięcia na bramce. Ustawienie napięcia bramki na zero

podczas wyłączania zapewnia prawidłowe działanie i praktycznie zapewnia ujemne napięcie względem napięcia progowego

urządzenia. Ujemne napięcie bramki nie wpływa znacząco na szybkość przełączania w przeciwieństwie do tranzystora bipolarnego.

Istnieją jednak okoliczności, w których konieczne jest ujemne sterowanie bramki:

• Producent półprzewodników określa ujemne napięcie bramki dla urządzenia

• Gdy napięcie bramki nie może być bezpiecznie utrzymane poniżej napięcia progowego z powodu szumów generowanych w

układzie.

Chociaż będą odniesienia do IGBT, zawarte informacje są równie przydatne dla MOSFETów mocy

lub MOSFETów z węgliku krzemu (SiC).

Charakterystyka bramki DC

Minimalne napięcie progowe dla większości IGBT wynosi 3V w temperaturze pokojowej. Współczynnik temperaturowy

napięcia progowego jest zawsze ujemny; wzrost temperatury złącza powoduje spadek napięcia progowego. Jeśli

temperatura złącza wzrośnie z 25°C do 150°C, a współczynnik temperaturowy wynosi -11 mV/°C, to

napięcie progowe spadnie o 1,4V. W związku z tym przy wysokiej temperaturze i warunkach skrajnych można spodziewać się napięcia progowego 1,6V.

Operacja dynamiczna

Problem pojawia się, gdy napięcie szybko wzrasta między zaciskami kolektor-emiter IGBT.

Podczas przejściowego procesu pojemność bramka-kolektor (Miller) dostarcza ładunek do bramki, zwiększając napięcie bramki.

Wysokość i szerokość impulsu napięcia na bramce zależą od stosunku pojemności bramka-kolektor

i bramka-emiter, impedancji obwodu sterującego podłączonego do bramki oraz zastosowanego dV/dt

między zaciskami kolektor-emiter.

Pojemności wewnętrzne podane są w karcie katalogowej. Należy zauważyć, że pojemność Millera IGBT jest mniejsza niż

w podobnie ocenianym MOSFETcie, ze względu na mniejszy rozmiar matrycy.

Impedancja bramki może być zminimalizowana poprzez wybór układu sterującego o niskiej impedancji i minimalizację

indukcyjności pasożytniczych w pętli sterującej.

dV/dt można ustawić na optymalną wartość (szumy vs straty) poprzez wybór odpowiedniej wartości szeregowego rezystora bramki.

Rezystor szeregowy bramki wpływa tylko na szybkość włączania IGBT, szybkość wyłączania jest w dużej mierze

zdeterminowana przez sam IGBT. Zalecana jest również dioda równoległa, z anodą skierowaną w stronę bramki, równolegle do rezystora bramki.

Dioda jest spolaryzowana zaporowo podczas włączania, ale utrzymuje bramkę na niskim poziomie podczas wyłączania i w stanie wyłączenia.

Układ sterujący musi posiadać oddzielny elektrycznie pin referencyjny dla wyjścia sterowania bramki. Pin ten powinien być

podłączony bezpośrednio do zacisku emitera IGBT lub zacisku Kelvina modułu IGBT. Napięcia bramki i emitera

unoszą się wtedy na szumach generowanych przez okablowanie masy o dużym prądzie, ale różnica

między tymi dwoma napięciami (efektywne napięcie sterujące) jest wolna od szumów.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IR21814STRPBF Infineon Sterownik Bramki Używa Standardowych Układów Sterujących do Generowania Ujemnego Napięcia Bramki dla MOSFETów i IGBT

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI