تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقاقة انفينيون

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver باستخدام وحدات التحكم القياسية لتوليد تحيز بوابة سالب لـ MOSFETs و IGBTs

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver باستخدام وحدات التحكم القياسية لتوليد تحيز بوابة سالب لـ MOSFETs و IGBTs

اسم العلامة التجارية:	Infineon Chip
رقم الموديل:	IR21814STRPBF
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

IR21814STRPBF

اسم المنتج:

رقاقة انفينيون

يكتب:

سمد/سمت

تيار الإخراج:

1.8 أ

جهد الإمداد:

10 فولت - 20 فولت

درجة حرارة التشغيل:

- 40 درجة مئوية ~ + 125 درجة مئوية

القدرة على العرض:

100000

إبراز:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

وحدة تحكم قياسية Gate Driver

وصف المنتج

Infineon Chip IR21814STRPBF باستخدام دوائر التحكم القياسية لتوليد جهد تحيز سالب للبوابة لموسفتس و IGBTs

استخدام دوائر التحكم القياسية لتوليد جهد تحيز سالب للبوابة لموسفتس و IGBTs

مقدمة

بطبيعتها، لا يتطلب كل من MOSFET و IGBT جهد تحيز سالب على البوابة. ضبط جهد البوابة على الصفر

عند إيقاف التشغيل يضمن التشغيل السليم ويوفر فعليًا جهد تحيز سالب بالنسبة لجهد العتبة لـ

الجهاز. لا يؤثر جهد تحيز البوابة السالب بشكل كبير على سرعة التبديل على عكس الترانزستور ثنائي القطب.

ومع ذلك، هناك ظروف يكون فيها تشغيل البوابة السالب ضروريًا:

• يحدد مصنع أشباه الموصلات جهد تحيز بوابة سالب للجهاز

• عندما لا يمكن الحفاظ على جهد البوابة بأمان أقل من جهد العتبة بسبب الضوضاء المتولدة في

الدائرة.

على الرغم من الإشارة إلى IGBTs، فإن المعلومات الواردة تنطبق بنفس القدر على MOSFETs للطاقة

أو MOSFETs من كربيد السيليكون (SiC).

خصائص بوابة التيار المستمر

الحد الأدنى لجهد العتبة لمعظم IGBTs هو 3 فولت في درجة حرارة الغرفة. معامل درجة حرارة

جهد العتبة سالب دائمًا؛ يؤدي ارتفاع درجة حرارة الوصلة إلى انخفاض جهد العتبة. إذا

ارتفعت درجة حرارة الوصلة من 25 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية، وكان معامل درجة الحرارة -11 مللي فولت / درجة مئوية، فإن جهد العتبة ينخفض بمقدار 1.4 فولت. وبالتالي، يمكن توقع جهد عتبة يبلغ 1.6 فولت في درجات الحرارة العالية و أسوأ الظروف.

التشغيل الديناميكي

تنشأ المشكلة عندما يزداد الجهد بسرعة بين أطراف المجمع-الباعث لـ IGBT.

أثناء العابر، تقوم سعة بوابة-المجمع (ميلر) بتوصيل الشحنة إلى البوابة، مما يزيد من جهد البوابة.

يتم تحديد ارتفاع وعرض "النبضة" في البوابة بواسطة نسبة سعات بوابة-المجمع

وبوابة-الباعث، ومقاومة دائرة التشغيل المتصلة بالبوابة، والجهد المطبق dV/dt

بين أطراف المجمع-الباعث.

السعات الداخلية معطاة في ورقة البيانات. لاحظ أن سعة ميلر لـ IGBT أصغر من

MOSFET ذي تصنيف مماثل، بسبب حجم الشريحة الأصغر.

يمكن تقليل مقاومة البوابة عن طريق اختيار دائرة تحكم ذات مقاومة منخفضة وتقليل

الحث المتناثر في حلقة التشغيل.

يمكن ضبط dV/dt على قيمة مثلى (ضوضاء مقابل خسائر) عن طريق اختيار القيمة المناسبة لمقاومة البوابة التسلسلية.

تؤثر مقاومة البوابة التسلسلية فقط على سرعة التشغيل لـ IGBT، وتتحدد سرعة إيقاف التشغيل إلى حد كبير

بواسطة IGBT نفسه. يوصى أيضًا باستخدام ديود متوازي، مع الأنود باتجاه البوابة، عبر مقاومة البوابة.

يكون الديود منحازًا عكسيًا عند التشغيل ولكنه يحافظ على البوابة منخفضة عند إيقاف التشغيل، وخلال حالة الإيقاف.

يجب أن تحتوي دائرة التحكم على دبوس مرجعي منفصل كهربائيًا لمخرج تشغيل البوابة. يجب توصيل هذا الدبوس مباشرة

بطرف الباعث لـ IGBT، أو طرف كيلفن لوحدة IGBT. ثم تطفو جهود البوابة والباعث فوق الضوضاء المتولدة بواسطة أسلاك التأريض عالية التيار، ولكن الفرق

بين الجهدين (جهد التشغيل الفعال) خالٍ من الضوضاء.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver باستخدام وحدات التحكم القياسية لتوليد تحيز بوابة سالب لـ MOSFETs و IGBTs

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي