รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

อินฟิเนียนชิป

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver โดยใช้ IC การควบคุมมาตรฐานเพื่อสร้างการคัดค้าน Gate Negative Bias สําหรับ MOSFET และ IGBT

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver โดยใช้ IC การควบคุมมาตรฐานเพื่อสร้างการคัดค้าน Gate Negative Bias สําหรับ MOSFET และ IGBT

ชื่อแบรนด์:	Infineon Chip
หมายเลขรุ่น:	IR21814STRPBF
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

IR21814STRPBF

ชื่อสินค้า:

อินฟิเนียนชิป

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

กระแสไฟขาออก:

1.8 ก

แรงดันไฟฟ้า:

10 โวลต์ - 20 โวลต์

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส ~ + 125 องศาเซลเซียส

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon ไดรเวอร์ประตู

ไดรเวอร์ประตู IC การควบคุมมาตรฐาน

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IR21814STRPBF ใช้ไอซีควบคุมมาตรฐานเพื่อสร้างแรงดันไบอัสเกตลบสำหรับ MOSFET และ IGBT

ใช้ไอซีควบคุมมาตรฐานเพื่อสร้างแรงดันไบอัสเกตลบสำหรับ MOSFET และ IGBT

บทนำ

โดยเนื้อแท้แล้วทั้ง MOSFET และ IGBT ไม่ต้องการแรงดันไบอัสลบที่เกต การตั้งค่าแรงดันเกตเป็นศูนย์

เมื่อปิดเครื่องจะรับประกันการทำงานที่ถูกต้องและให้แรงดันไบอัสลบเทียบกับแรงดันเกณฑ์ของ

อุปกรณ์ แรงดันไบอัสเกตลบไม่มีผลต่อความเร็วในการสวิตช์อย่างมีนัยสำคัญเมื่อเทียบกับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์

อย่างไรก็ตาม มีสถานการณ์ที่จำเป็นต้องใช้ไดรฟ์เกตแบบลบ:

• ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระบุแรงดันไบอัสเกตลบสำหรับอุปกรณ์

• เมื่อแรงดันเกตไม่สามารถรักษาให้อยู่ต่ำกว่าแรงดันเกณฑ์ได้อย่างปลอดภัยเนื่องจากสัญญาณรบกวนที่สร้างขึ้นใน

วงจร

แม้ว่าจะมีการอ้างอิงถึง IGBT แต่ข้อมูลที่มีอยู่นั้นสามารถนำไปใช้กับ Power MOSFET หรือ Silicon Carbide (SiC) MOSFET ได้เช่นกัน

ลักษณะ DC Gate

แรงดันเกณฑ์ขั้นต่ำสำหรับ IGBT ส่วนใหญ่คือ 3V ที่อุณหภูมิห้อง สัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ

แรงดันเกณฑ์เป็นลบเสมอ อุณหภูมิรอยต่อที่เพิ่มขึ้นส่งผลให้แรงดันเกณฑ์ลดลง หาก

อุณหภูมิรอยต่อเพิ่มขึ้นจาก 25°C ถึง 150°C และสัมประสิทธิ์อุณหภูมิคือ -11 mV/

°C ดังนั้น แรงดันเกณฑ์ที่คาดหวังคือ 1.6V ที่อุณหภูมิสูงและ

เงื่อนไขที่เลวร้ายที่สุด

การทำงานแบบไดนามิก

ปัญหาเกิดขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วระหว่างขั้วคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ของ IGBT

ระหว่างการเปลี่ยนแปลงชั่วคราว ตัวเก็บประจุเกต-คอลเลคเตอร์ (มิลเลอร์) จะส่งประจุไปยังเกต ทำให้แรงดันเกตเพิ่มขึ้น

ความสูงและความกว้างของ 'บลีป' แรงดันไฟฟ้าที่เกตจะถูกกำหนดโดยอัตราส่วนของตัวเก็บประจุเกต-คอลเลคเตอร์

และตัวเก็บประจุเกต-อิมิตเตอร์ อิมพีแดนซ์ของวงจรไดรฟ์ที่เชื่อมต่อกับเกต และ dV/dt ที่ใช้

ระหว่างขั้วคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์

ตัวเก็บประจุภายในจะระบุไว้ในเอกสารข้อมูล สังเกตว่าตัวเก็บประจุมิลเลอร์ของ IGBT มีขนาดเล็กกว่า

MOSFET ที่มีพิกัดใกล้เคียงกัน เนื่องจากขนาดไดที่เล็กกว่า

อิมพีแดนซ์ไปยังเกตสามารถลดให้เหลือน้อยที่สุดได้โดยการเลือกไอซีควบคุมที่มีอิมพีแดนซ์ต่ำและโดยการลด

ค่าความเหนี่ยวนำที่ค้างอยู่ในลูปไดรฟ์

สามารถตั้งค่า dV/dt ให้เป็นค่าที่เหมาะสมที่สุด (สัญญาณรบกวนเทียบกับการสูญเสีย) โดยการเลือกค่าที่เหมาะสมของตัวต้านทานเกตแบบอนุกรม

ตัวต้านทานเกตแบบอนุกรมมีผลเฉพาะกับความเร็วในการเปิดเครื่องของ IGBT ความเร็วในการปิดเครื่องส่วนใหญ่

ถูกกำหนดโดยตัว IGBT เอง ไดโอดแบบขนาน โดยมีแอโนดหันไปทางเกต ข้ามตัวต้านทานเกตก็แนะนำเช่นกัน

ไดโอดจะถูกย้อนกลับไบอัสเมื่อเปิดเครื่อง แต่จะยึดเกตไว้เมื่อปิดเครื่อง และระหว่างสถานะปิด

ไอซีควบคุมต้องมีขาอ้างอิงที่แยกทางไฟฟ้าสำหรับเอาต์พุตไดรฟ์เกต ขานี้ควรเชื่อมต่อโดยตรงกับขั้วอิมิตเตอร์ของ IGBT หรือขั้ว Kelvin ของโมดูล IGBT จากนั้นแรงดันไฟฟ้าเกตและอิมิตเตอร์จะลอยอยู่เหนือสัญญาณรบกวนที่สร้างขึ้นโดยสายกราวด์กระแสสูง แต่ความแตกต่างของแรงดันไฟฟ้าทั้งสอง (แรงดันไดรฟ์ที่มีประสิทธิภาพ) จะปราศจากสัญญาณรบกวน

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver โดยใช้ IC การควบคุมมาตรฐานเพื่อสร้างการคัดค้าน Gate Negative Bias สําหรับ MOSFET และ IGBT

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI