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IR21814STRPBF Infineon MOSFETおよびIGBTの負ゲートバイアス生成用標準制御ICゲートドライバ

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IR21814STRPBF Infineon MOSFETおよびIGBTの負ゲートバイアス生成用標準制御ICゲートドライバ

ブランド名:	Infineon Chip
モデル番号:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
梱包の詳細:	2500個/リール
支払い条件:	T/T

起源の場所:

IR21814STRPBF

インフィニオンチップ

SMD/SMT

出力電流:

1.8 A

供給電圧:

10V～20V

動作温度:

-40℃～+125℃

供給の能力:

100000

ハイライト:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon ゲートドライバ

標準制御IC ゲートドライバ

製品説明

MOSFETおよびIGBT用の負ゲートバイアスを生成するための標準制御ICの使用

はじめに

本質的に、MOSFETもIGBTもゲートに負のバイアスを必要としません。ゲート電圧をゼロに設定すると、

ターンオフ時に適切な動作が保証され、実質的にしきい値電圧に対する負のバイアスが提供されます。

デバイス。負のゲートバイアスは、バイポーラトランジスタとは対照的に、スイッチング速度に有意な影響を与えません。

ただし、負のゲートドライブが必要となる状況があります。

•半導体メーカーがデバイスに負のゲートバイアスを指定している場合

•回路で発生するノイズにより、ゲート電圧をしきい値電圧より安全に低く保持できない場合。

IGBTに言及しますが、含まれる情報はパワーMOSFETに等しく適用可能です。

または炭化ケイ素（SiC）MOSFET。

DCゲート特性

ほとんどのIGBTの最小しきい値電圧は、室温で3Vです。しきい値電圧の温度係数は常に負であり、接合温度の上昇はしきい値電圧の低下につながります。もし

接合温度が25℃から150℃に上昇し、温度係数が-11mV/℃の場合、

しきい値電圧は1.4V低下します。したがって、高温および最悪の条件では、1.6Vのしきい値電圧が予想されます。

動的動作問題は、コレクタ-エミッタ端子間の電圧がIGBTで急激に増加するときに発生します。過渡状態中、ゲート-コレクタ（ミラー）静電容量はゲートに電荷を供給し、ゲート電圧を増加させます。ゲートの電圧「ブリップ」の高さと幅は、ゲートコレクタ

およびゲートエミッタ静電容量の比率、ゲートに接続されたドライブ回路のインピーダンス、および印加されたdV/dtによって決定されます。

コレクタエミッタ端子間。

内部静電容量はデータシートに記載されています。IGBTのミラー静電容量は、

同様の定格のMOSFETよりも小さいです。これは、ダイサイズが小さいためです。

ゲートへのインピーダンスは、低インピーダンスの制御ICを選択し、

ドライブループの寄生インダクタンスを最小限に抑えることによって最小限に抑えることができます。

dV/dtは、直列ゲートの適切な値を選択することによって、最適な値（ノイズ対損失）に設定できます。

抵抗器。直列ゲート抵抗器はIGBTのターンオン速度にのみ影響し、ターンオフ速度は主に

IGBT自体によって決定されます。ゲート抵抗器の両端に、アノードをゲートに向けた並列ダイオードも

推奨されます。ダイオードはターンオン時には逆バイアスされますが、ターンオフ時およびオフ状態時にはゲートを保持します。

状態。

制御ICには、ゲートドライブ出力用の電気的に分離されたリファレンスピンが必要です。このピンは

IGBTのエミッタ端子またはIGBTモジュールのケルビン端子に直接接続する必要があります。ゲートと

エミッタ電圧は、高電流グラウンド配線によって生成されるノイズの上に浮遊しますが、

2つの電圧の差（実効駆動電圧）はノイズフリーです。

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