dettagli dei prodotti

Casa Prodotti

Chip Infineon

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Utilizzando Circuiti di Controllo Standard per Generare Bias di Gate Negativo per MOSFET e IGBT

Tutte le categorie

Chip LED ad alta potenza

Contattici

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contatto ora

Tutte le categorie

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Utilizzando Circuiti di Controllo Standard per Generare Bias di Gate Negativo per MOSFET e IGBT

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IR21814STRPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corrente di uscita:

1.8 A

Tensione di alimentazione:

10 V-20 V

Temperatura operativa:

-40°C~+125°C

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

Gate Driver a Controllo Standard

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IR21814STRPBF Utilizzo di IC di controllo standard per generare bias di gate negativi per MOSFET e IGBT

Utilizzo di IC di controllo standard per generare bias di gate negativi per MOSFET e IGBT

Introduzione

Inerentemente né il MOSFET né l'IGBT richiedono una polarizzazione negativa sul gate. Impostare la tensione del gate a zero

alla disattivazione garantisce un corretto funzionamento e fornisce virtualmente una polarizzazione negativa rispetto alla tensione di soglia del

dispositivo. La polarizzazione negativa del gate non influisce in modo significativo sulla velocità di commutazione a differenza del transistor bipolare.

Tuttavia, ci sono circostanze in cui è necessario un pilotaggio di gate negativo:

• Il produttore di semiconduttori specifica una polarizzazione negativa del gate per il dispositivo

• Quando la tensione del gate non può essere mantenuta in sicurezza al di sotto della tensione di soglia a causa del rumore generato nel

circuito.

Sebbene si faccia riferimento agli IGBT, le informazioni contenute sono ugualmente applicabili ai MOSFET di potenza

o ai MOSFET in carburo di silicio (SiC).

Caratteristiche del gate DC

La tensione di soglia minima per la maggior parte degli IGBT è 3V a temperatura ambiente. Il coefficiente di temperatura della

tensione di soglia è sempre negativo; l'aumento della temperatura di giunzione comporta una diminuzione della tensione di soglia. Se

la temperatura di giunzione aumenta da 25°C a 150°C e il coefficiente di temperatura è -11 mV/°C, allora la

tensione di soglia diminuisce di 1,4V. Pertanto, una tensione di soglia di 1,6V può essere prevista ad alta temperatura e

in condizioni peggiori.

Operazione dinamica

Il problema sorge quando la tensione aumenta rapidamente tra i terminali collettore-emettitore dell'IGBT.

Durante la transizione, la capacità gate-collettore (Miller) fornisce carica al gate, aumentando la tensione del gate.

L'altezza e la larghezza del 'picco' di tensione sul gate sono determinate dal rapporto tra le capacità gate-collettore

e gate-emettitore, dall'impedenza del circuito di pilotaggio collegato al gate e dal dV/dt applicato

tra i terminali collettore-emettitore.

Le capacità interne sono riportate sulla scheda tecnica. Notare che la capacità di Miller dell'IGBT è inferiore a

quella di un MOSFET con potenza nominale simile, a causa delle dimensioni ridotte del die.

L'impedenza verso il gate può essere minimizzata selezionando un IC di controllo a bassa impedenza e minimizzando

l'induttanza parassita nel loop di pilotaggio.

Il dV/dt può essere impostato su un valore ottimale (rumore contro perdite) selezionando il valore appropriato del resistore di gate in serie.

Il resistore di gate in serie influisce solo sulla velocità di accensione dell'IGBT, la velocità di spegnimento è in gran parte

determinata dall'IGBT stesso. È anche raccomandato un diodo in parallelo, con l'anodo verso il gate, attraverso il resistore di gate.

Il diodo è polarizzato inversamente all'accensione ma mantiene il gate basso allo spegnimento e durante lo stato di off.

L'IC di controllo deve avere un pin di riferimento elettricamente separato per l'uscita di pilotaggio del gate. Questo pin dovrebbe essere

collegato direttamente al terminale dell'emettitore dell'IGBT, o al terminale Kelvin del modulo IGBT. La tensione del gate e

dell'emettitore fluttua quindi sopra il rumore generato dal cablaggio di massa ad alta corrente, ma la

differenza tra le due tensioni (la tensione di pilotaggio effettiva) è priva di rumore.

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

dettagli dei prodotti

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Utilizzando Circuiti di Controllo Standard per Generare Bias di Gate Negativo per MOSFET e IGBT

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI