rincian produk

Rumah Produk

Chip Infineon

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Menggunakan IC Kontrol Standar untuk Membuat Bias Gate Negatif untuk MOSFET dan IGBT

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Menggunakan IC Kontrol Standar untuk Membuat Bias Gate Negatif untuk MOSFET dan IGBT

Nama Merek:	Infineon Chip
Nomor Model:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Detail Kemasan:	2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Dokumen:

model:

IR21814STRPBF

Nama Produk:

Chip Infineon

Jenis:

SMD/SMT

Arus Keluaran:

1,8 A

Tegangan Pasokan:

10V-20V

Suhu Operasional:

- 40 °C ~ + 125 °C

Menyediakan kemampuan:

100.000

Menyoroti:

IR21814STRPBF

IR21814S Pengemudi gerbang Infineon

Pengemudi Gerbang IC Kontrol Standar

Deskripsi Produk

Infineon Chip IR21814STRPBF Menggunakan IC Kontrol Standar untuk Membuat Bias Gerbang Negatif untuk MOSFET dan IGBT

Menggunakan IC Kontrol Standar untuk Membuat Bias Gerbang Negatif untuk MOSFET dan IGBT

Pengantar

Secara inheren baik MOSFET maupun IGBT membutuhkan bias negatif pada gerbang.

pada turn-off memastikan operasi yang tepat dan hampir memberikan bias negatif relatif tegangan ambang dari

bias gerbang negatif tidak secara signifikan mempengaruhi kecepatan switching sebagai lawan dari transistor bipolar.

Namun, ada keadaan di mana penggerak gerbang negatif diperlukan:

•Produsen semikonduktor menentukan bias gerbang negatif untuk perangkat

•Ketika tegangan gerbang tidak dapat dijaga dengan aman di bawah tegangan ambang karena kebisingan yang dihasilkan di

Sirkuit.

Meskipun referensi akan dibuat untuk IGBT, informasi yang terkandung sama berlaku untuk MOSFET daya

atau Silicon Carbide (SiC) MOSFET.

Karakteristik gerbang DC

Tegangan ambang minimum untuk sebagian besar IGBT adalah 3V pada suhu kamar.

Tegangan ambang selalu negatif; peningkatan suhu simpang menghasilkan penurunan tegangan ambang.

suhu simpang naik dari 25°C ke 150°C, dan koefisien suhu adalah -11 mV/°C, kemudian

Tegangan ambang menurun sebesar 1,4V. Dengan demikian tegangan ambang 1,6V dapat diharapkan pada suhu tinggi dan

kondisi kasus terburuk.

Operasi Dinamis

Masalahnya muncul ketika tegangan meningkat dengan cepat antara kolektor-emitter terminal IGBT.

Selama transisi, kapasitas gate-collector (Miller) memberikan muatan ke gerbang, meningkatkan gerbang

ketegangan. ketinggian dan lebar tegangan blip di gerbang ditentukan oleh rasio gatecollector

dan kapasitansi gate-emitter, impedansi sirkuit drive yang terhubung ke gate dan dV/dt yang diterapkan

antara terminal kolektor emitter.

Kapasitas internal diberikan pada lembar data. perhatikan kapasitansi Miller dari IGBT lebih kecil dari

MOSFET dengan nilai yang sama, karena ukuran die yang lebih kecil.

Impedansi ke gerbang dapat diminimalkan dengan memilih impedansi rendah Control IC dan dengan meminimalkan

Induktansi yang tersesat dalam loop drive.

dV/dt dapat diatur ke nilai optimal (bising versus kerugian) dengan memilih nilai yang tepat dari gerbang seri

Resistor gerbang seri hanya mempengaruhi kecepatan menyalakan IGBT, kecepatan mati sebagian besar

Dioda paralel, dengan anoda menuju gerbang, di seberang resistor gerbang juga

Dioda terbalik bias pada saat menyala tetapi memegang gerbang ke bawah saat menyala off, dan selama off

negara bagian.

Control IC harus memiliki pin referensi yang terpisah secara listrik untuk output drive gerbang.

terhubung langsung ke terminal pemancar IGBT, atau terminal Kelvin dari modul IGBT.

tegangan emitter kemudian mengambang di atas kebisingan yang dihasilkan oleh kabel tanah arus tinggi, tetapi

perbedaan dua tegangan (tegangan penggerak efektif) bebas dari kebisingan.

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Menggunakan IC Kontrol Standar untuk Membuat Bias Gate Negatif untuk MOSFET dan IGBT

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI