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IR21814STRPBF Infineon गेट ड्राइवर MOSFETs और IGBTs के लिए नेगेटिव गेट बायस उत्पन्न करने के लिए स्टैंडर्ड कंट्रोल ICs का उपयोग करता है

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IR21814STRPBF Infineon गेट ड्राइवर MOSFETs और IGBTs के लिए नेगेटिव गेट बायस उत्पन्न करने के लिए स्टैंडर्ड कंट्रोल ICs का उपयोग करता है

ब्रांड का नाम:	Infineon Chip
मॉडल नंबर:	आईआर21814एसटीआरपीबीएफ
MOQ:	2500
पैकेजिंग विवरण:	2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

दस्तावेज:

नमूना:

आईआर21814एसटीआरपीबीएफ

प्रोडक्ट का नाम:

इन्फिनियन चिप

प्रकार:

एसएमडी/एसएमटी

आउटपुट करेंट:

1.8 ए

वोल्टेज आपूर्ति:

10 वी- 20 वी

परिचालन तापमान:

- 40 डिग्री सेल्सियस ~ + 125 डिग्री सेल्सियस

आपूर्ति की क्षमता:

100000

प्रमुखता देना:

आईआर21814एसटीआरपीबीएफ

IR21814S Infineon गेट ड्राइवर

स्टैंडर्ड कंट्रोल IC गेट ड्राइवर

उत्पाद वर्णन

MOSFETs और IGBTs के लिए नेगेटिव गेट बायस उत्पन्न करने के लिए मानक नियंत्रण ICs का उपयोग करना

परिचय

स्वाभाविक रूप से न तो MOSFET और न ही IGBT को गेट पर नेगेटिव बायस की आवश्यकता होती है। टर्न-ऑफ पर गेट वोल्टेज को शून्य पर सेट करना उचित संचालन सुनिश्चित करता है और प्रभावी रूप से डिवाइस के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के सापेक्ष नेगेटिव बायस प्रदान करता है। नेगेटिव गेट बायस स्विचिंग गति को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित नहीं करता है, जैसा कि बाइपोलर ट्रांजिस्टर के विपरीत है। हालांकि, ऐसी परिस्थितियां हैं जब एक नेगेटिव गेट ड्राइव आवश्यक है:

• सेमीकंडक्टर निर्माता डिवाइस के लिए नेगेटिव गेट बायस निर्दिष्ट करता है

• जब सर्किट में उत्पन्न शोर के कारण गेट वोल्टेज को थ्रेशोल्ड वोल्टेज से नीचे सुरक्षित रूप से नहीं रखा जा सकता है।

हालांकि IGBTs का संदर्भ दिया जाएगा, इसमें निहित जानकारी पावर MOSFETs या सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs पर समान रूप से लागू होती है।

गतिशील संचालनअधिकांश IGBTs के लिए न्यूनतम थ्रेशोल्ड वोल्टेज कमरे के तापमान पर 3V है। थ्रेशोल्ड वोल्टेज का तापमान गुणांक हमेशा नेगेटिव होता है; जंक्शन तापमान में वृद्धि से थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी आती है। यदि जंक्शन तापमान 25°C से 150°C तक बढ़ जाता है, और तापमान गुणांक -11 mV/°C है, तो थ्रेशोल्ड वोल्टेज 1.4V कम हो जाता है। इस प्रकार, उच्च तापमान और सबसे खराब स्थिति में 1.6V का थ्रेशोल्ड वोल्टेज अपेक्षित है।

गतिशील संचालनसमस्या तब उत्पन्न होती है जब IGBT के कलेक्टर-एमिटर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज तेजी से बढ़ता है। क्षणिक के दौरान, गेट-कलेक्टर (मिलर) कैपेसिटेंस गेट को चार्ज पहुंचाता है, जिससे गेट वोल्टेज बढ़ जाता है। गेट पर वोल्टेज 'ब्लिप' की ऊंचाई और चौड़ाई गेट-कलेक्टर और गेट-एमिटर कैपेसिटेंस के अनुपात, गेट से जुड़े ड्राइव सर्किट की प्रतिबाधा, और कलेक्टर-एमिटर टर्मिनलों के बीच लागू dV/dt द्वारा निर्धारित होती है।

आंतरिक कैपेसिटेंस डेटा शीट पर दिए गए हैं। ध्यान दें कि IGBT की मिलर कैपेसिटेंस समान रेटिंग वाले MOSFET की तुलना में छोटी होती है, जो छोटे डाई आकार के कारण होती है।

कम प्रतिबाधा नियंत्रण IC का चयन करके और ड्राइव लूप में स्टेय इंडक्टेंस को कम करके गेट की प्रतिबाधा को कम किया जा सकता है।

dV/dt को श्रृंखला गेट रेसिस्टर के उचित मान का चयन करके एक इष्टतम मान (शोर बनाम नुकसान) पर सेट किया जा सकता है। श्रृंखला गेट रेसिस्टर केवल IGBT की टर्न-ऑन गति को प्रभावित करता है, टर्न-ऑफ गति काफी हद तक IGBT द्वारा ही निर्धारित होती है। गेट रेसिस्टर के पार, एनोड गेट की ओर, एक समानांतर डायोड की भी सिफारिश की जाती है। डायोड टर्न-ऑन पर रिवर्स बायस्ड होता है लेकिन टर्न-ऑफ और ऑफ स्टेट के दौरान गेट को नीचे रखता है।

नियंत्रण IC में गेट ड्राइव आउटपुट के लिए एक विद्युत रूप से अलग संदर्भ पिन होना चाहिए। इस पिन को सीधे IGBT के एमिटर टर्मिनल, या IGBT मॉड्यूल के केल्विन टर्मिनल से जोड़ा जाना चाहिए। गेट और एमिटर वोल्टेज तब उच्च करंट ग्राउंड वायरिंग द्वारा उत्पन्न शोर के ऊपर तैरते हैं, लेकिन दो वोल्टेज का अंतर (प्रभावी ड्राइव वोल्टेज) शोर से मुक्त होता है।

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